[發明專利]IPS型TFT-LCD陣列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD陣列基板

有效

• 申請號: 202110673802.9
• 申請日: 2021-06-17
• 公開（公告）號: CN113433742B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 苑春歌
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 官建紅

本申請公開了一種IPS型TFT?LCD陣列基板的制作方法，包括如下步驟：提供TFT基板，其包括襯底、形成在襯底上的TFT陣列、及形成在TFT陣列上平坦層；在平坦層上形成公共電極；在所述公共電極及所述平坦層上形成絕緣膜；將形成有公共電極及絕緣膜的TFT基板置于反應室中，向反應室中通入成膜氣體SiHsubgt;4/subgt;及Nsubgt;2/subgt;O，形成氧化硅層；在所述氧化硅層上形成像素電極。本申請的制作方法中，在公共電極及平坦層上形成絕緣膜之后，再在絕緣膜上形成氧化硅層，如此，在形成氧化硅層時，平坦層可以通過絕緣膜與成膜氣體隔絕，如此，可以避免成膜氣體與平坦層接觸，從而避免平坦層被刻蝕。另，本申請還公開了一種由所述方法制得的IPS型TFT?LCD陣列基板。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種IPS型TFT-LCD陣列基板的制作方法及由所述方法制得的IPS型TFT-LCD陣列基板。

背景技術

隨著顯示技術的發展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?TransistorLiquidCrystal?Display，TFT-LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。

目前主流市場上的TFT-LCD，就液晶的驅動模式而言，可分為三種類型，分別是扭曲向列(Twisted?Nematic，TN)或超扭曲向列(Super?Twisted?Nematic，STN)型，面內轉換(In-Plane?Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical?Alignment，VA)型。其中，IPS型TFT-LCD是利用與基板面大致平行的電場驅動液晶分子沿基板面內轉動以響應的模式，具有可視角范圍大、影像真實、色彩表現力豐富等優勢，而被廣泛應用在電腦屏幕、電競屏幕等領域。

IPS顯示屏幕的TFT基板的像素單元一般包括基板，柵極，柵極絕緣層，有源層，源極，漏極，形成于所述源極、漏極、有源層及柵極絕緣層上的平坦層，形成于所述平坦層上的公共電極，形成在所述公共電極及所述平坦層上的鈍化層，及形成在所述鈍化層上的像素電極。在TFT制備過程中，所述鈍化層一般采用氧化硅層，并采用CVD(化學氣相沉積)的方式制備。但是，形成氧化硅層的組分氣體中的氧化物N₂O會和平坦層中的亞克力發生氧化還原反應，生成CO₂，造成平坦層的刻蝕，導致平坦層的表面平整度降低，甚至斷裂，進而影響IPS顯示屏幕的性能。

發明內容

有鑒于此，本申請提供一種IPS型TFT-LCD陣列基板的制作方法，旨在解決現有的IPS型TFT-LCD陣列基板的制作過程中存在的平坦層刻蝕的問題。

本申請實施例是這樣實現的，一種IPS型TFT-LCD陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

提供TFT基板，其包括襯底、形成在襯底上的TFT陣列、及形成在TFT陣列上平坦層；

在所述平坦層上形成公共電極；

在所述公共電極及所述平坦層上形成絕緣膜；

將所述形成有公共電極及絕緣膜的TFT基板置于反應室中，向反應室中通入成膜氣體SiH₄及N₂O，形成氧化硅層；

在所述氧化硅層上形成像素電極。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述SiH₄的氣體流量為100-1000ml/min，N₂O的氣體流量為5000-40000ml/min。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述平坦層中包含亞克力。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述絕緣膜為無機絕緣膜或有機絕緣膜。