[發明專利]雙硅麥封裝結構和雙硅麥封裝結構的制備方法

有效

• 申請號: 202110669743.8
• 申請日: 2021-06-17
• 公開（公告）號: CN113301486B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 張吉欽;何正鴻
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;H04R19/00;H04R31/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 梁曉婷

本發明的實施例提供了一種雙硅麥封裝結構和雙硅麥封裝結構的制備方法，涉及麥克風封裝技術領域，該雙硅麥封裝結構包括第一線路板、第一硅麥芯片、第一蓋板、第二硅麥芯片、第二蓋板和第二線路板，通過在第一線路板的兩側分別貼裝第一硅麥芯片和第二硅麥芯片，在第二線路板上設置讓位凹槽，第一蓋板容置在讓位凹槽內。相較于現有技術，本發明提供的雙硅麥封裝結構，能夠實現雙硅麥封裝結構，提升硅麥結構的集成度，同時降低封裝尺寸，有利于產品的小型化，并且結構穩定，不易出現焊接失效現象，并且提高了產品的靈敏度及信噪比。

技術領域

本發明涉及麥克風封裝技術領域，具體而言，涉及一種雙硅麥封裝結構和雙硅麥封裝結構的制備方法。

背景技術

隨著半導體行業的快速發展，麥克風在消費領域已經廣泛應用于各種電子產品中，其中硅麥克風由于尺寸較小，穩定性強等特點，已經廣泛應用在移動終端中。硅麥克風包括MEMS(微機電系統，Micro Electro Mechanical System)芯片，且MEMS芯片包括硅振膜和硅背極板。其中，MEMS芯片的工作原理是利用聲音變化產生的壓力梯度使硅振膜受聲壓干擾而產生形變，進而改變硅振膜和硅背極板之間的電容值，從而將聲壓信號轉化為電壓信號。

現有硅麥結構集成度較低，只有單顆硅麥結構，同時采用傳統的層疊封裝技術，使得封裝尺寸較大，不利于產品的小型化。此外，在常規結構中，用于構成音腔的金屬蓋的連接處十分不穩定，在切割時容易因為基板翹曲而導致蓋體與基板焊接結構失效。并且常規的硅麥封裝結構通常采用單音腔結構，硅麥結構的底部空氣空間較小，降低了硅麥克風的靈敏度及信噪比。

發明內容

本發明的目的包括，例如，提供了一種雙硅麥封裝結構和雙硅麥封裝結構的制備方法，其能夠實現雙硅麥封裝結構，提升硅麥結構的集成度，同時降低封裝尺寸，有利于產品的小型化，并且結構穩定，不易出現焊接失效現象，并且提高了產品的靈敏度及信噪比。

本發明的實施例可以這樣實現：

第一方面，本發明提供一種雙硅麥封裝結構，包括：

設置有第一背音孔和第二背音孔的第一線路板；

貼裝在所述第一線路板一側，并與所述第一背音孔對應設置的第一硅麥芯片；

貼裝在所述第一線路板一側，并蓋設在所述第一硅麥芯片外的第一蓋板；

貼裝在所述第一線路板另一側，并與所述第二背音孔對應設置的第二硅麥芯片；

貼裝在所述第一線路板另一側，并蓋設在所述第二硅麥芯片外的第二蓋板；

貼裝在所述第一線路板一側，并設置有讓位凹槽的第二線路板；

其中，所述第一硅麥芯片與所述第一線路板電連接，所述第二硅麥芯片與所述第二線路板電連接，所述第一線路板覆蓋在所述讓位凹槽上，所述第一蓋板容置在所述讓位凹槽內，并與所述讓位凹槽的側壁間隔設置，所述第二蓋板和/或所述第二蓋板外的所述第一線路板上還設置有第一進音孔。

在可選的實施方式中，所述第一線路板上設置有第一進音孔，所述第一進音孔位于所述第二蓋板外，并位于所述第一蓋板內，用于連通外部空間和所述第一蓋板的內部空間。

在可選的實施方式中，所述第一線路板上設置有第一進音孔，所述第一進音孔位于所述第一蓋板外，并位于所述第二蓋板外，所述第一進音孔導通至所述第一蓋板和所述讓位凹槽的側壁之間。

在可選的實施方式中，所述第一蓋板的側壁上設置有第二進音孔，所述第二進音孔與所述第一蓋板的內部空間連通，并導通至所述第一蓋板和所述讓位凹槽的側壁之間。

在可選的實施方式中，所述第一線路板上還設置有第三背音孔，所述第一蓋板和所述第二蓋板錯位設置在所述第一線路板的兩側，所述第三背音孔位于所述第一蓋板外，并位于所述第二蓋板內，所述第三背音孔連通所述第二蓋板的內部空間和所述讓位凹槽。