[發明專利]用于射頻傳輸的多層布線轉接板及其制備方法

有效

• 申請號: 202110669347.5
• 申請日: 2021-06-17
• 公開（公告）號: CN113257786B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 馮光建;馬飛;黃雷;郭西
• 申請（專利權）人: 浙江集邁科微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/522;H01L21/48;H01L21/768;H01L23/66
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 盧炳瓊

本發明提供一種用于射頻傳輸的多層布線轉接板及其制備方法，通過在基底的凹槽中制備具有一定金屬布線層的重新布線結構，可將多層布線轉接板劃分為布線密集區及布線稀疏區，以解決由于多層布線所造成的應力較大的問題所導致的翹曲及分層等質量問題，且可降低工藝難度；進一步的，通過位于布線密集區的TSV柱，可將信號由多層布線轉接板的一面直接傳輸到轉接板的另一面，從而可減少信號傳輸距離，降低損耗，提高空間利用率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種用于射頻傳輸的多層布線轉接板及其制備方法。

背景技術

毫米波射頻技術在半導體行業發展迅速，其在高速數據通信、汽車雷達、機載導彈跟蹤系統以及空間光譜檢測和成像等領域都得到廣泛應用。新的應用對產品的電氣性能、緊湊結構和系統可靠性都提出了新的要求。對于無線發射和接收系統，目前還不能集成到同一顆芯片上（SOC），因此需要把不同的芯片如射頻單元、濾波器、功率放大器等通過集成的方式集成到一個獨立的系統中，以實現發射和接收信號的功能。

對于絕大多數射頻芯片來說，其射頻信號的傳輸因為需要跨層，必須用到多層布線，以通過厚度較大的金屬線來匹配電阻。而這種設置對于后面的封裝基板的布線挑戰性較大，尤其是對于硅基封裝轉接板，如在做3D封裝的過程中，絕大多數公司都在盡量減少硅基轉接板表面的布線層數，以減少硅基中由于布線層過多導致的硅基轉接板的翹曲。

雖然通過增加布線密度可減少布線層數，但是在射頻走線特殊的布線設置中，考慮到層間信號間的串擾、插損等問題，往往模組是不能通過增加某些層的布線密度來減少層數的。從而在射頻芯片中厚度較大的多層布線，對于尺寸較大、厚度較薄的轉接板的制作工藝和后續的微組裝工藝都是較大的挑戰，同時過多的布線層數還容易出現因應力較大導致的布線層分層（peeling）問題。

因此，提供一種用于射頻傳輸的多層布線轉接板及其制備方法，實屬必要。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種用于射頻傳輸的多層布線轉接板及其制備方法，用于解決現有技術中在制備多層布線轉接板時所遇到的上述一系列的質量及工藝的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種用于射頻傳輸的多層布線轉接板，所述多層布線轉接板包括：

基底，所述基底包括第一面及對應的第二面，所述基底包括凹槽；

第一TSV柱，所述第一TSV柱貫穿所述基底；

第一重新布線結構，所述第一重新布線結構位于所述基底的第一面上，且與所述第一TSV柱的第一端電連接；

第二重新布線結構，所述第二重新布線結構位于所述基底的第二面上，且與所述第一TSV柱的第二端電連接；

第三重新布線結構，所述第三重新布線結構位于所述凹槽中，且所述第三重新布線結構與所述第二重新布線結構電連接；

第二TSV柱，所述第二TSV柱的第一端與所述第一重新布線結構電連接，所述第二TSV柱的第二端與所述第三重新布線結構電連接；

其中，所述多層布線轉接板劃分為布線密集區及布線稀疏區，所述第一TSV柱位于所述布線稀疏區，所述第三重新布線結構及第二TSV柱位于所述布線密集區，且所述布線密集區中的金屬布線層數大于所述布線稀疏區中的金屬布線層數。

可選地，還包括金屬連接件，所述金屬連接件位于所述第一重新布線結上或位于所述第二重新布線結構上。

本發明還提供一種用于射頻傳輸的多層布線轉接板，所述多層布線轉接板包括：

基底，所述基底包括第一面及對應的第二面，所述基底包括第一凹槽及第二凹槽；

第一TSV柱，所述第一TSV柱貫穿所述基底；