[發(fā)明專利]用于射頻傳輸?shù)亩鄬硬季€轉(zhuǎn)接板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110669347.5 | 申請日： | 2021-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN113257786B | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馮光建;馬飛;黃雷;郭西 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江集邁科微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L23/522;H01L21/48;H01L21/768;H01L23/66 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 盧炳瓊 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市長興縣經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 射頻 傳輸 多層 布線 轉(zhuǎn)接 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于射頻傳輸?shù)亩鄬硬季€轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述多層布線轉(zhuǎn)接板包括：
基底，所述基底包括第一面及對應(yīng)的第二面，所述基底包括凹槽；
第一TSV柱，所述第一TSV柱貫穿所述基底；
第一重新布線結(jié)構(gòu)，所述第一重新布線結(jié)構(gòu)位于所述基底的第一面上，且與所述第一TSV柱的第一端電連接；
第二重新布線結(jié)構(gòu)，所述第二重新布線結(jié)構(gòu)位于所述基底的第二面上，且與所述第一TSV柱的第二端電連接；
第三重新布線結(jié)構(gòu)，所述第三重新布線結(jié)構(gòu)位于所述凹槽中，且所述第三重新布線結(jié)構(gòu)與所述第二重新布線結(jié)構(gòu)電連接；
第二TSV柱，所述第二TSV柱及所述第一TSV柱均位于同一所述基底中，所述第二TSV柱的第一端與所述第一重新布線結(jié)構(gòu)電連接，所述第二TSV柱的第二端與所述第三重新布線結(jié)構(gòu)電連接；
其中，所述多層布線轉(zhuǎn)接板劃分為布線密集區(qū)及布線稀疏區(qū)，所述第一TSV柱位于所述布線稀疏區(qū)，所述第三重新布線結(jié)構(gòu)及第二TSV柱位于所述布線密集區(qū)，且所述布線密集區(qū)中的金屬布線層數(shù)大于所述布線稀疏區(qū)中的金屬布線層數(shù)；
還包括射頻芯片，且所述射頻芯片位于所述布線密集區(qū)，與所述第一重新布線結(jié)構(gòu)或所述第二重新布線結(jié)構(gòu)電連接，從而位于所述布線密集區(qū)且沿垂向分布的所述射頻芯片、所述第三重新布線結(jié)構(gòu)及第二TSV柱直接進行連接，以將信號由所述基底的一面?zhèn)鬏斨亮硪幻妫瑴p少信號傳輸距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層布線轉(zhuǎn)接板，其特征在于：還包括金屬連接件，所述金屬連接件位于所述第一重新布線結(jié)上或位于所述第二重新布線結(jié)構(gòu)上。
3.一種用于射頻傳輸?shù)亩鄬硬季€轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述多層布線轉(zhuǎn)接板包括：
基底，所述基底包括第一面及對應(yīng)的第二面，所述基底包括第一凹槽及第二凹槽；
第一TSV柱，所述第一TSV柱貫穿所述基底；
第一重新布線結(jié)構(gòu)，所述第一重新布線結(jié)構(gòu)位于所述基底的第一面上，且與所述第一TSV柱的第一端電連接；
第二重新布線結(jié)構(gòu)，所述第二重新布線結(jié)構(gòu)位于所述基底的第二面上，且與所述第一TSV柱的第二端電連接；
第三重新布線結(jié)構(gòu)，所述第三重新布線結(jié)構(gòu)位于所述第一凹槽中，且所述第三重新布線結(jié)構(gòu)與所述第一重新布線結(jié)構(gòu)電連接；
第四重新布線結(jié)構(gòu)，所述第四重新布線結(jié)構(gòu)位于所述第二凹槽中，且所述第四重新布線結(jié)構(gòu)與所述第二重新布線結(jié)構(gòu)電連接；
第二TSV柱，所述第二TSV柱及所述第一TSV柱均位于同一所述基底中，所述第二TSV柱的第一端與所述第三重新布線結(jié)構(gòu)電連接，所述第二TSV柱的第二端與所述第四重新布線結(jié)構(gòu)電連接；
其中，所述多層布線轉(zhuǎn)接板劃分為布線密集區(qū)及布線稀疏區(qū)，所述第一TSV柱位于所述布線稀疏區(qū)，所述第三重新布線結(jié)構(gòu)、第二TSV柱及第四重新布線結(jié)構(gòu)位于所述布線密集區(qū)，且所述布線密集區(qū)中的金屬布線層數(shù)大于所述布線稀疏區(qū)中的金屬布線層數(shù)；
還包括射頻芯片，且所述射頻芯片位于所述布線密集區(qū)，與所述第一重新布線結(jié)構(gòu)或所述第二重新布線結(jié)構(gòu)電連接，從而位于所述布線密集區(qū)且沿垂向分布的所述射頻芯片、所述第三重新布線結(jié)構(gòu)、第二TSV柱及第四重新布線結(jié)構(gòu)直接進行連接，以將信號由所述基底的一面?zhèn)鬏斨亮硪幻妫瑴p少信號傳輸距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層布線轉(zhuǎn)接板，其特征在于：還包括金屬連接件，所述金屬連接件位于所述第一重新布線結(jié)上或位于所述第二重新布線結(jié)構(gòu)上。
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