[發明專利]多晶硅清洗裝置

在審

• 申請號: 202110667440.2
• 申請日: 2021-06-16
• 公開（公告）號: CN113319058A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 石何武;張升學;章莉;鄭紅梅;楊永亮
• 申請（專利權）人: 中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: B08B3/10
• 分類號: B08B3/10;B08B3/12;B08B3/08;B08B5/02;B08B13/00;F26B21/00
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 曲進華

本發明提出一種多晶硅清洗裝置包括清洗間，所述清洗間的進口處設有用于形成第一風淋防護門的第一噴氣口，所述清洗間內設有清洗槽，所述清洗間具有惰性氣體進口和廢氣出口，干燥間，所述清洗間的出口與所述干燥間的進口連通，所述干燥間的出口設有用于形成第二風淋防護門的第二噴氣口，所述干燥間內設有干燥裝置；和移動裝置，所述移動裝置包括第一機械臂和第二機械臂，所述第一機械臂可移動地設在所述清洗間內，所述第二機械臂可移動地設在所述干燥間內。因此，根據本發明實施例的多晶硅清洗裝置具有降低人工勞動強度、便于多晶硅的清洗和包裝，以及通過高密閉性從而防止多晶硅受到污染的優點。

技術領域

本發明涉及多晶硅制備領域，具體涉及一種多晶硅清洗裝置。

背景技術

區熔級多晶硅作為電子級多晶硅的高端產品，隨著多晶硅的產品質量提升，其后加工處理也要求更加嚴格，其中電子級多晶硅清洗是電子級多晶硅后續加工處理必不可少的生產環節，主要目的就是將多晶硅在后處理加工過程中以及硅棒表面上存在的沾污雜質給去除，確保優質的產品進入下游工序使用。然而目前對于多晶硅的清洗主要采用人工清洗和自動清洗兩種。

相關技術中，人工清洗是一種初級的硅料清洗方式，在盛裝有清洗液的酸槽以及純水槽內操作人員根據清洗硅料的多少注入適量的清洗介質，然后將待洗硅料裝入清洗花籃內，人為觀察清洗效果確定清洗時間。這種操作有一定的靈活性，但是存在一定的安全隱患，而且硅料在空氣中暴露時間長，容易產生氧化物等影響多晶硅純度的物質。

自動清洗一般是組裝清洗液槽在一個固定框架內，然后在清洗液槽上方設置機械手，通過機械手替代人工提拉硅料花籃在不同清洗液槽內清洗，通過清洗程序的設定，控制不同清洗液里的清洗時間，實現自動清洗過程。該操作方法是人工一次上料后基本實現自動化操作，人力勞動強度低，安全性較高，目前存在的主要問題就是在自動清洗過程中，機械手的運動節拍使得硅料在空氣中暴露時間過長，容易在硅料表層形成一種氧化膜，影響產品的質量，有時候硅料的形狀和大小影響清洗質量。

隨著對硅料需求的增加，不同品質和不同規格的硅料或者硅棒越來越多的被下游客戶使用，尤其是國產化進程日益成熟，高端多晶硅產品已完成生產技術難點的攻克，產品內在質量能夠達到區熔級多晶硅產品的質量要求，但是在后續的加工處理過程存在一些問題，使得下游工序在使用過程穩定性不高，因此后續加工處理也一直是亟需優化的。目前，在區熔級多晶硅的下游客戶反饋中，存在硅棒表面發彩，廢酸殘留等異常現象，影響下游客戶的使用。

發明內容

本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本發明的實施例提出一種多晶硅清洗裝置。

根據本發明實施例的多晶硅清洗裝置包括：

清洗間，所述清洗間的進口處設有用于形成第一風淋防護門的第一噴氣口，所述清洗間內設有清洗槽，所述清洗間具有惰性氣體進口和廢氣出口，

干燥間，所述清洗間的出口與所述干燥間的進口連通，所述干燥間的出口設有用于形成第二風淋防護門的第二噴氣口，所述干燥間內設有干燥裝置；和

移動裝置，所述移動裝置包括第一機械臂和第二機械臂，所述第一機械臂可移動地設在所述清洗間內，所述第二機械臂可移動地設在所述干燥間內。

因此，根據本發明實施例的多晶硅清洗裝置具有降低人工勞動強度、便于多晶硅的清洗和包裝，以及通過高密閉性從而防止多晶硅受到污染的優點。

在一些實施例中，所述清洗間包括第一清洗段和第二清洗段，所述第二清洗段設在所述第一清洗段和所述干燥間之間，所述清洗槽包括用于容納堿性清洗液的第一清洗槽和用于容納高純水的第二清洗槽，所述第一清洗槽設在所述第一清洗段內，所述第二清洗槽設在所述第二清洗段內，所述廢氣出口包括第一廢氣出口和第二廢氣出口，所述第一廢氣出口與所述第一清洗槽配合，所述第二廢氣出口與所述第二清洗槽配合。