[發明專利]多晶硅清洗裝置在審
| 申請號: | 202110667440.2 | 申請日: | 2021-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN113319058A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 石何武;張升學;章莉;鄭紅梅;楊永亮 | 申請(專利權)人: | 中國恩菲工程技術有限公司 |
| 主分類號: | B08B3/10 | 分類號: | B08B3/10;B08B3/12;B08B3/08;B08B5/02;B08B13/00;F26B21/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 曲進華 |
| 地址: | 100038*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶 清洗 裝置 | ||
1.一種多晶硅清洗裝置,其特征在于,包括:
清洗間,所述清洗間的進口處設有用于形成第一風淋防護門的第一噴氣口,所述清洗間內設有清洗槽,所述清洗間具有惰性氣體進口和廢氣出口;
干燥間,所述清洗間的出口與所述干燥間的進口連通,所述干燥間的出口設有用于形成第二風淋防護門的第二噴氣口,所述干燥間內設有干燥裝置;和
移動裝置,所述移動裝置包括第一機械臂和第二機械臂,所述第一機械臂可移動地設在所述清洗間內,所述第二機械臂可移動地設在所述干燥間內。
2.根據權利要求1所述的多晶硅清洗裝置,其特征在于,所述清洗間包括第一清洗段和第二清洗段,所述第二清洗段設在所述第一清洗段和所述干燥間之間,所述清洗槽包括用于容納堿性清洗液的第一清洗槽和用于容納高純水的第二清洗槽,所述第一清洗槽設在所述第一清洗段內,所述第二清洗槽設在所述第二清洗段內,所述廢氣出口包括第一廢氣出口和第二廢氣出口,所述第一廢氣出口與所述第一清洗槽配合,所述第二廢氣出口與所述第二清洗槽配合。
3.根據權利要求2所述的多晶硅清洗裝置,其特征在于,所述清洗間還包括第三清洗段和第四清洗段,所述第三清洗段設在所述第二清洗段和所述干燥間之間,所述第四清洗段設在所述第三清洗段和所述干燥間之間,所述清洗槽包括用于容納混酸溶液的第三清洗槽和用于容納高純水的第四清洗槽,所述第三清洗槽設在所述第三清洗段內,所述第四清洗槽設在所述第四清洗段內,所述廢氣出口包括第三廢氣出口和第四廢氣出口,所述第三廢氣出口與所述第三清洗槽配合,所述第四廢氣出口與所述第四清洗槽配合。
4.根據權利要求3所述的多晶硅清洗裝置,其特征在于,所述多晶硅清洗裝置進一步包括第一進料泵、第二進料泵、第三進料泵和第四進料泵,所述第一進料泵的出口與所述第一清洗槽連通,所述第一清洗槽內設有第一鼓泡器,所述第二進料泵的出口與所述第二清洗槽連通,所述第二清洗槽內設有第二鼓泡器,所述第三進料泵的出口與所述第三清洗槽連通,所述第三清洗槽內設有第三鼓泡器和超聲發生器,所述第四進料泵的出口與所述第四清洗槽連通,所述第四清洗槽內設有第四鼓泡器。
5.根據權利要求4所述的多晶硅清洗裝置,其特征在于,還包括:
第一過渡段,所述第一過渡段設在所述第一清洗段和所述第二清洗段之間,所述第一過渡段內設有第一惰性氣體噴嘴,所述第一過渡段內的底部設有第一集液盤;
第二過渡段,所述第二過渡段設在所述第二清洗段和所述第三清洗段之間,所述第二過渡段內設有第二惰性氣體噴嘴;
第三過渡段,所述第三過渡段設在所述第三清洗段和所述第四清洗段之間,所述第三過渡段內設有第三惰性氣體噴嘴,所述第三過渡段內的底部設有第二集液盤;和
第四過渡段,所述第四過渡段設在所述第四清洗段和所述干燥間之間,所述第四過渡段內設有第四惰性氣體噴嘴。
6.根據權利要求4所述的多晶硅清洗裝置,其特征在于,所述第一機械臂包括:
第一子機械臂,所述第一子機械臂可移動地設在所述第一清洗段內;
第二子機械臂,所述第二子機械臂可移動地設在所述第二清洗段內;
第三子機械臂,所述第三子機械臂可移動地設在所述第三清洗段內;
第四子機械臂,所述第四子機械臂可移動地設在所述第四清洗段內。
7.根據權利要求5所述的多晶硅清洗裝置,其特征在于,還包括:
上料平臺,所述上料平臺鄰近所述第一清洗間,所述上料平臺具有上料臺面;和
下料平臺,所述下料平臺鄰近所述干燥間,所述下料平臺具有下料臺面。
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