[發明專利]高純相多層V2 在審
| 申請號： | 202110667394.6 | 申請日： | 2021-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN113401905A | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發明（設計）人： | 高紅;張訓鵬;肖鈞鵬;姚靜;馬新志 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱師范大學 |
| 主分類號： | C01B32/914 | 分類號： | C01B32/914;H01M4/587;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 李紅媛 |
| 地址： | 150080 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高純 多層 base sub | ||
1.高純相多層V2C材料的制備方法，其特征在于該制備方法按照以下步驟實現：
一、將0.6～1g V2AlC粉體放入40～60mL質量濃度為30％～50％的HF水溶液中，在室溫下攪拌反應240～288小時，得到反應液；
二、將步驟一得到的反應液采用離心機在5000r/min～12000r/min下進行反復離心并且加入去離子水清洗，反復多次，離心清洗直至上清液的pH值為5～7，收集固相沉淀物；
三、對步驟二得到的固相沉淀物進行干燥處理，得到高純相多層V2C材料。
2.根據權利要求1所述的高純相多層V2C材料的制備方法，其特征在于步驟一中所述V2AlC粉體顆粒大小為200目。
3.根據權利要求1所述的高純相多層V2C材料的制備方法，其特征在于步驟一中V2AlC粉體的質量與HF水溶液的體積比為1g：52～58mL。
4.根據權利要求1所述的高純相多層V2C材料的制備方法，其特征在于步驟一中將0.8gV2AlC粉體放入40～50mL質量濃度為30％～50％的HF水溶液中。
5.根據權利要求1所述的高純相多層V2C材料的制備方法，其特征在于步驟一中在室溫下攪拌反應250～270小時。
6.根據權利要求1所述的高純相多層V2C材料的制備方法，其特征在于步驟二中采用離心機在7000r/min～9000r/min下進行反復離心。
7.根據權利要求1所述的高純相多層V2C材料的制備方法，其特征在于步驟二中每次離心的時間為5分鐘。
8.根據權利要求1所述的高純相多層V2C材料的制備方法，其特征在于步驟二中反復6～8次。
9.根據權利要求1所述的高純相多層V2C材料的制備方法，其特征在于步驟三中固相沉淀物進行真空干燥處理，真空干燥溫度為60℃，干燥時間為12h。
10.高純相多層V2C材料的應用，其特征在于將高純相多層V2C材料作為負極材料應用于鋰離子電池中。
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