[發(fā)明專利]熒光材料及電致發(fā)光器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110665002.2 | 申請日： | 2021-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN113354672A | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 熊友 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電技術(shù)有限公司;武漢華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | C07F5/02 | 分類號： | C07F5/02;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 官建紅 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熒光 材料 電致發(fā)光 器件 | ||
1.一種熒光材料，其特征在于，所述熒光材料的結(jié)構(gòu)通式為：
其中，R1基團選自以及上述物質(zhì)的衍生物中的任意一種；
R2基團選自氫原子、氟原子、甲基基團、氰基基團、叔丁基基團、苯基基團、吡啶基團、1,3,5-三嗪基團以及上述物質(zhì)的衍生物中的任意一種；
X基團為碳原子或者硅原子中的任意一種；
Y基團為氮原子或者磷原子中的任意一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，所述熒光材料包括第一目標化合物，所述第一目標化合物的結(jié)構(gòu)式為：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熒光材料，其特征在于，所述第一目標化合物的合成路線為：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，所述熒光材料包括第一目標化合物，所述第二目標化合物的結(jié)構(gòu)式為
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熒光材料，其特征在于，所述第二目標化合物的合成路線為：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，所述熒光材料包括第三目標化合物，所述第三目標化合物的結(jié)構(gòu)式為
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熒光材料，其特征在于，所述第三目標化合物是通過下述合成路線合成出：
8.一種電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光器件包括發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為如權(quán)利要求1至7任一項所述的藍光熱活化延遲熒光材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光器件還包括：
襯底層；
空穴注入層，設(shè)于所述襯底層一側(cè)表面；
空穴傳輸層，設(shè)于空穴注入層遠離襯底層一側(cè)表面；
所述發(fā)光層設(shè)于所述空穴傳輸層遠離所述空穴注入層一側(cè)表面；
電子傳輸層，設(shè)于所述發(fā)光層遠離所述空穴傳輸層一側(cè)表面；以及
陰極層，設(shè)于電子傳輸層遠離發(fā)光層一側(cè)表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述襯底層的材料為氧化銦錫，所述空穴注入層的材料為1,4,5,8,9,11-六氮雜苯甲腈、所述空穴傳輸層的材料為4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述電子傳輸層的材料為1,3,5-三(3-(3-吡啶基)苯基)苯，所述陰極層的材料為氟化鋰/鋁。
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