[發(fā)明專利]熒光材料及電致發(fā)光器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110665002.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113354672A | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 熊友 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司;武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C07F5/02 | 分類號(hào): | C07F5/02;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熒光 材料 電致發(fā)光 器件 | ||
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種熒光材料及電致發(fā)光器件;該藍(lán)光熱活化延遲熒光材料具有電子給體和電子受體相結(jié)合的分子結(jié)構(gòu),其通過不同功能團(tuán)的搭配,在三苯硼并三苯胺的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,通過對(duì)不同給電子單元的結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)控,調(diào)節(jié)整體的電荷轉(zhuǎn)移強(qiáng)弱改變其給電子能力,得到具有較低單三重能級(jí)差、高發(fā)光效率以及快速的反向系間竄越常數(shù)的藍(lán)光熱活化延遲熒光材料,以得到高發(fā)光效率的電致發(fā)光器件。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種熒光材料及電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)
有機(jī)電致發(fā)光二極管(organic light-emitting diodes,OLED)以其主動(dòng)發(fā)光不需要背光源、發(fā)光效率高、可視角度大、響應(yīng)速度快、溫度適應(yīng)范圍大、生產(chǎn)加工工藝相對(duì)簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)電壓低,能耗小,更輕更薄,柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)以及巨大的應(yīng)用前景,吸引了眾多研究者的關(guān)注。
在OLED中,起主導(dǎo)作用的發(fā)光客體材料至關(guān)重要。早期的OLED使用的發(fā)光客體材料為熒光材料,由于在OLED中單重態(tài)和三重態(tài)的激子比例為1:3,因此基于熒光材料的OLED的理論內(nèi)量子效率(IQE)只能達(dá)到25%,極大的限制了熒光電致發(fā)光器件的應(yīng)用。重金屬配合物磷光材料由于重原子的自旋軌道耦合作用,使得它能夠同時(shí)利用單重態(tài)和三重態(tài)激子而實(shí)現(xiàn)100%的內(nèi)量子效率。然而,通常使用的重金屬都是Ir、Pt等貴重金屬,并且重金屬配合物磷光發(fā)光材料在藍(lán)光材料方面尚有待突破。純有機(jī)熱活化延遲熒光(ThermallyActivatedDelayedFluorescence,TADF)材料,通過巧妙的分子設(shè)計(jì),使得分子具有較小的最低單三重能級(jí)差(ΔEST),這樣三重態(tài)激子可以通過反向系間竄越(RISC)回到單重態(tài),再通過輻射躍遷至基態(tài)而發(fā)光,從而能夠同時(shí)利用單、三重態(tài)激子,也可以實(shí)現(xiàn)100%的內(nèi)量子效率。對(duì)于TADF材料,快速的反向系間竄越常數(shù)(kRISC)以及高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)是制備高效率OLED的必要條件。然而具備上述條件的TADF材料相對(duì)于重金屬Ir配合物而言還是比較匱乏。在磷光重金屬材料有待突破的藍(lán)光領(lǐng)域,TADF材料方面更是寥寥無(wú)幾。
因此,亟需一種熒光材料及電致發(fā)光器件以解決上述技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種熒光材料及電致發(fā)光器件,以改進(jìn)現(xiàn)有的熒光材料制備的電致發(fā)光器件存在發(fā)光效率低的技術(shù)問題。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種熒光材料,所述熒光材料的結(jié)構(gòu)通式為:
其中,R1基團(tuán)選自以及上述物質(zhì)的衍生物中的任意一種;
R2基團(tuán)選自氫原子、氟原子、甲基基團(tuán)、氰基基團(tuán)、叔丁基基團(tuán)、苯基基團(tuán)、吡啶基團(tuán)、1,3,5-三嗪基團(tuán)以及上述物質(zhì)的衍生物中的任意一種;
X基團(tuán)為碳原子或者硅原子中的任意一種;Y基團(tuán)為氮原子或者磷原子中的任意一種。
可選的,在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,所述熒光材料包括第一目標(biāo)化合物,所述第一目標(biāo)化合物的結(jié)構(gòu)式為:
可選的,在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,所述第一目標(biāo)化合物是通過下述合成路線合成出:
可選的,在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,所述熒光材料包括第二目標(biāo)化合物,所述第二目標(biāo)化合物的結(jié)構(gòu)式為:
可選的,在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,所述第二目標(biāo)化合物是通過下述合成路線合成出:
可選的,在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,所述熒光材料包括第三目標(biāo)化合物,所述第三目標(biāo)化合物的結(jié)構(gòu)式為:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢華星光電技術(shù)有限公司;武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司,未經(jīng)武漢華星光電技術(shù)有限公司;武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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