[發明專利]一種高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料及其制備工藝

在審

• 申請號: 202110664335.3
• 申請日: 2021-06-16
• 公開（公告）號: CN113429729A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 莫建雙;李順利;趙勇;俞麗琴;鄭顏;陳維清;蔡煜明;何偉勤;李學貴;張澤彬;黃禮濤;陳晨;楊趙;趙英;陳忠平
• 申請（專利權）人: 浙江太湖遠大新材料股份有限公司
• 主分類號: C08L51/06
• 分類號: C08L51/06;C08L23/08;C08F255/02;C08F230/08;B29C48/285;B29C48/40;B29C48/505;B29C48/59;B29C48/80
• 代理公司: 杭州伍博專利代理事務所(普通合伙) 33309
• 代理人: 熊小芬

1.一種高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料，其特征是，所述絕緣料包括A料和B料，其中按重量份計數，A料包括，

線性低密度聚乙烯70-90份；

PP樹脂5-10份；

引發劑0.05-0.15份；

硅烷交聯劑0.5-1.5份；

按重量份計數，B料包括，

催化劑0.05-0.2份；

線性低密度聚乙烯70-90份。

2.根據權利要求1所述的一種高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料，其特征是，所述引發劑為過氧化二異丙苯或過氧化苯甲酰。

3.根據權利要求1所述的一種高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料，其特征是，所述硅烷交聯劑為乙烯基三甲氧基硅烷和乙烯基三甲氧基乙氧基硅烷按質量比1：2復配而成。

4.根據權利要求1所述的一種高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料，其特征是，所述催化劑為二月桂酸二丁基錫。

5.一種高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料制備工藝，其特征是，采用高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料制備裝置制作，所述制備裝置包括混合機構（1）、擠出機構（2）和造粒機（3），所述混合機構（1）構置于擠出機構（2）一端的上方且與擠出機構（2）連通，所述擠出機構（2）的另一端與造粒機（3）連接，具體步驟如下：

1）線性低密度聚乙烯、PP樹脂、引發劑和硅烷交聯劑投入到混合機構（1）內；

2）步驟1中所得的混合物進入擠出機構（2）加熱擠出，擠出機構（2）將配比完成后的混合物擠出轉移到造粒機（3），造粒機（3）完成造粒；

3）將步驟2中料粒干燥打包完成接枝A料；

4）線性低密度聚乙烯和催化劑投入到混合機構（1）內；

5）步驟4中所得混合物先后進入擠出機構（2）加熱擠出，接著進入到造粒機（3）完成造粒；

6）步驟5中料粒打包干燥完成接枝B料；

7）根據生產要求，A料和B料混合后擠出，得到高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料。

6.根據權利要求5所述的一種高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料制備工藝，其特征是，所述混合機構（1）包括混合桶（10），所述混合桶（10）內頂部套接有分散組件（11），所述分散組件（11）外接電動機一，所述電動機一與混合桶（10）外頂面固定連接，所述混合桶（10）內壁下方設置有錐形面（12），所述錐形面（12）的半徑大的一端朝向混合桶（10）頂部，所述錐形面（12）半徑小的一端朝向混合桶（10）的底部，所述混合桶（10）的底部設置有若干出料孔（13），所述出料孔（13）成環形布置。

7.根據權利要求6所述的一種高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料制備工藝，其特征是，所述分散組件（11）包括連接桿（110）和若干上下疊放的分散盤（111），若干分散盤（111）的直徑由上至下逐漸增大，相鄰分散盤（111）間連接有連接塊（112），所述分散盤（111）上表面設置有圓環形的分散槽（113），所述分散槽（113）靠近分散盤（111）的邊緣，所述連接桿（110）為空心桿，所述連接桿（110）一端與置于頂端的分散盤（111）固定連接，所述連接桿（110）與分散盤（111）的連接處設置有若干讓位口（114），所述讓位口（114）繞連接桿（110）外壁均勻布置，所述連接桿（110）另一端穿過混合桶（10）頂部連接有從動齒輪（14），所述電動機一連接有主動齒輪（15），所述主動齒輪（15）與從動齒輪（14）嚙合。

8.根據權利要求6所述的一種高線速硅烷交聯聚乙烯絕緣料制備工藝，其特征是，所述擠出機構（2）包括擠出桶（20）和兩根擠出螺桿（21），兩根擠出螺桿（21）并排設置，兩根擠出螺桿（21）的一端均伸出擠出桶（20）連接有連接齒輪（22），兩個連接齒輪（22）嚙合，其中一個連接齒輪（22）連接有電動機二，所述擠出螺桿（21）依次設置有喂料段（210）、精擠段（211）和送料段（212），所述喂料段（210）、精擠段（211）和送料段（212）內部均設置有加熱絲（23），所述喂料段（210）與出料孔（13）相對應。