[發(fā)明專利]一種鉻硅系薄膜電阻及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110662034.7 | 申請日： | 2021-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN113410382B | 公開（公告）日： | 2022-11-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊尚潔;楊永峰;張萬垚;李林;折宇;陳寶忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安微電子技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | H01L49/02 | 分類號： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 馬貴香 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 鉻硅系 薄膜 電阻 及其 制備 方法 | ||
1.一種鉻硅系薄膜電阻的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、在襯底（1）上使用化學(xué)氣相沉積法沉積二氧化硅絕緣層（2）；
S2、使用物理氣相沉積法在二氧化硅絕緣層（2）上先沉積鉻硅電阻層（3），再沉積鈦鎢層（4）；
S3、使用化學(xué)氣相沉積法在鈦鎢層（4）上沉積二氧化硅層，作為硬掩膜（5）；
S4、在硬掩膜（5）上完成電阻圖形的制備；電阻的寬度為5-8um；
S5、對二氧化硅層進行刻蝕，形成硬掩膜窗口；
S6、使用強氧化溶劑對硬掩膜窗口的鈦鎢層（4）進行去除；
S7、對鉻硅電阻層（3）進行干法預(yù)刻蝕；
S8、使用濕法化學(xué)腐蝕法對鉻硅電阻層（3）進行腐蝕，得到所述鉻硅系薄膜電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉻硅系薄膜電阻的制備方法，其特征在于，在S8后，對鉻硅系薄膜電阻進行后處理，具體包括以下步驟：
（1）通過干法去膠工藝去除表層二氧化硅絕緣層（2）上的光刻膠；
（2）采用濕法有機清洗，對殘留光刻膠及S7中干法預(yù)刻蝕產(chǎn)生的聚合物進行去除。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉻硅系薄膜電阻的制備方法，其特征在于，S8中，濕法化學(xué)腐蝕法采用的溶液為硝酸、氫氟酸和水的混合液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉻硅系薄膜電阻的制備方法，其特征在于，強氧化溶劑的溫度為30℃-80℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉻硅系薄膜電阻的制備方法，其特征在于，二氧化硅絕緣層（2）的厚度為1-2μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉻硅系薄膜電阻的制備方法，其特征在于，鉻硅電阻層（3）的厚度為50?-800?。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉻硅系薄膜電阻的制備方法，其特征在于，鈦鎢層（4）的厚度為1000 ?-3000 ?。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉻硅系薄膜電阻的制備方法，其特征在于，化學(xué)氣相沉積法采用等離子體化學(xué)氣相淀積法，射頻功率在300W-2000W，溫度在350℃-500℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉻硅系薄膜電阻的制備方法，其特征在于，物理氣相沉積法具體為：功率源采用直流源、中頻源或射頻源，功率控制在100-2000W。
10.采用權(quán)利要求1-9任意一項所述制備方法制備得到的鉻硅系薄膜電阻，其特征在于，包括自下而上設(shè)置的襯底（1）、二氧化硅絕緣層（2）、鉻硅電阻層（3）、鈦鎢層（4）和硬掩膜（5）；所述鉻硅系薄膜電阻的寬度為5-8um。
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