[發明專利]一種micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構制作工藝及阻光結構

在審

• 申請號: 202110654701.7
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113370691A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 胡曉斌
• 申請（專利權）人: 深圳市華仁三和科技有限公司
• 主分類號: B41M5/00
• 分類號: B41M5/00;B41M7/00
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 李瑩

1.一種micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構制作工藝，包括：

S1、制備阻光油墨；

S2、根據micro-LED顯示器的顯示單元的規格生成噴印任務數據；

S3、根據噴印任務數據對micro-LED顯示器的顯示單元面板進行噴印，在顯示單元四周形成阻光柵格；

S4、對阻光柵格進行固化處理；

S5、判斷阻光柵格的高度是否達到預設高度，否則轉到步驟S3。

2.如權利要求1所述的micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構制作工藝，其特征在于：在步驟S1之中，所述阻光油墨的細度小于5微米，粘度小于10mPa·S。

3.如權利要求2所述的micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構制作工藝，其特征在于：在步驟S2之中，所述噴印任務數據包括柵格線位置、柵格線寬度和柵格線厚度。

4.如權利要求3所述的micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構制作工藝，其特征在于：在步驟S4之中，采用UV固化裝置對所述阻光柵格進行固化。

5.如權利要求4所述的micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構制作工藝，其特征在于：所述UV固化裝置采用365nm的UV光源。

6.如權利要求5所述的micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構制作工藝，其特征在于：所述UV固化裝置的UV光線能量為450-550mj/cm²。

7.如權利要求6所述的micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構制作工藝，其特征在于：在步驟S2之前，還包括獲取每層油墨的厚度。

8.如權利要求7所述的micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構制作工藝，其特征在于：在步驟S5之中，通過噴印次數判斷當前阻光柵格的高度是否達到預設高度。

9.一種micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構，其特征在于：包括基板、micro-LED和保護層，所述基板、micro-LED和保護層由下至上依次排列，所述micro-LED在基板上形成有micro-LED顯示陣列，相鄰兩顆micro-LED之間設有阻光柵格，所述阻光柵格的高度大于micro-LED的高度。

10.如權利要求9所述的micro-LED顯示器顯示單元的阻光結構，其特征在于：所述阻光柵格的OD值大于5。