[發明專利]異質結太陽能電池片的制造方法及異質結太陽能電池片

有效

• 申請號: 202110653832.3
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113380926B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發明（設計）人: 王文靜;張良;徐曉華;周肅;龔道仁;郭琦
• 申請（專利權）人: 安徽華晟新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/072;H01L31/0224;H01L21/78
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

本發明提供一種異質結太陽能電池片的制造方法及異質結太陽能電池片。該制造方法包括：形成初始太陽能電池片，初始太陽能電池片具有切割區，形成初始太陽能電池片的步驟包括：在半導體襯底層的一側形成第一導電類型半導體層；在第一導電類型半導體層背向半導體襯底層的一側形成第一透明導電層；在切割區的第一透明導電層中形成第一切割槽，第一切割槽的底部暴露第一導電類型半導體層；之后，沿著切割區切割初始太陽能電池片，第一切割槽的寬度大于沿著切割區切割初始太陽能電池片的步驟中對初始太陽能電池片的切割寬度。該方法可有效避免因切割造成的光電轉化效率降低。

技術領域

本發明涉及太陽能電池片切割技術，具體涉及一種異質結太陽能電池片的制造方法及異質結太陽能電池片。

背景技術

太陽能電池具有清潔無污染、可再生、工作性能穩定等優點。太陽能電池也稱光伏電池，其利用半導體界面的光生伏特效應，將太陽光的能量直接轉換為電能。在轉換過程中，通過吸收光產生電子空穴對，電子空穴對分離或擴散，實現發電電流的傳輸。根據結構和制備工藝的工藝不同，太陽能電池劃分為不同的類型。以晶硅為基底的太陽能電池，在基底的一側或兩側制備半導體層、電極形成電池片，接著將多個電池片進行焊接以進行串聯或并聯，然后封裝形成組件，組件發電后通過逆變器回饋電網。

太陽能電池根據所用材料的不同可以分為：晶體硅太陽能電池、多元化合物薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池、硅基薄膜太陽能電池、有機太陽能電池，其中晶體硅太陽能電池是發展最成熟的，在應用中居主導地位。晶體硅太陽能電池包括多晶硅BSF太陽能電池、單晶硅PERC太陽能電池、硅異質結太陽能電池等。

在晶體硅太陽能電池領域，太陽能電池半片技術是降低組件封裝損失、提高組件功率的有效途徑。半片技術，即將標準規格電池片切割成相同的兩個半片電池片后再進行焊接串聯。切割異質結太陽能電池片之后，通常會在P型層一側殘留因切割引起的透明導電層或硅襯底的碎片，該些碎片附于切割形成的表面上會導致P型層與N型襯底導通，造成電池片光電轉化效率的降低。

發明內容

因此本發明提供一種異質結太陽能電池片制造方法及異質結太陽能電池片，以解決切割后的異質結太陽能電池片電池片效率降低的問題。

本發明提供一種異質結太陽能電池片的制造方法，包括：形成初始太陽能電池片，所述初始太陽能電池片具有切割區，所述形成初始太陽能電池片的步驟包括：提供半導體襯底層；在所述半導體襯底層的一側形成第一導電類型半導體層，所述第一導電類型半導體層的導電類型與所述半導體襯底層的導電類型相反；在所述第一導電類型半導體層背向所述半導體襯底層的一側形成第一透明導電層；在所述切割區的所述第一透明導電層中形成貫穿所述第一透明導電層的厚度的第一切割槽，所述第一切割槽的底部暴露所述第一導電類型半導體層；形成第一切割槽之后，沿著所述切割區切割所述初始太陽能電池片，所述第一切割槽的寬度大于沿著所述切割區切割所述初始太陽能電池片的步驟中對初始太陽能電池片的切割寬度。

可選的，形成所述第一切割槽的步驟包括：采用第一激光切割工藝，沿著所述切割區對所述第一透明導電層進行切割。

可選的，所述第一切割槽的寬度為0.5mm-2mm。

可選的，所述第一激光切割工藝采用的激光波長為220nm-300nm。

可選的，所述第一激光切割工藝采用的激光波長為266nm。

可選的，所述第一激光切割工藝采用的激光功率為2W-20W。

可選的，所述第一激光切割工藝的激光沿著切割區的掃描速度為100mm/s-600mm/s。