[發明專利]制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202110653419.7
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113539964A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 張羅衡;張榮宏;林志昌;江國誠;王志豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種制造半導體裝置的方法，包括：

形成一半導體堆疊，包括：

在一基板上沉積一第一半導體層；以及

在該第一半導體層上沉積一第二半導體層；

蝕刻該半導體堆疊以形成一鰭片，該鰭片包括多個納米結構的一堆疊；

在該鰭片上形成一虛設柵極結構；

蝕刻該鰭片以形成一凹口，該凹口鄰近該虛設柵極結構，該凹口露出該基板，該凹口露出在該虛設柵極結構下方的該第一半導體層以及該第二半導體層的多個第一側部；

蝕刻所述露出的第一側部以露出多個第二側部；

在所述露出的第二側部上沉積一第三半導體層；

在該虛設柵極結構上以及該第三半導體層上沉積一第一介電層；

蝕刻該第一介電層以露出該第三半導體層的多個部分；

在該露出的基板上以及鄰近該第三半導體層的所述露出的部分形成一第一外延區；

去除該虛設柵極結構；

去除該第一半導體層的多個剩余部分以在該鰭片中形成一開口；以及

在該開口中形成一柵極結構。