[發明專利]一種晶片清洗方法及系統

有效

• 申請號: 202110653070.7
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113441453B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 解華林
• 申請（專利權）人: 湖南國創同芯科技有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/12;B08B11/00;B08B11/02;F26B11/18;F26B23/04;F26B25/02
• 代理公司: 長沙智德知識產權代理事務所(普通合伙) 43207
• 代理人: 彭少波

本發明公布了一種晶片清洗方法及系統，屬于晶片清洗領域，包括以下步驟：A、藥液清洗：使用清洗藥液對晶片進行超聲清洗，去除晶片表面的微塵和污漬；B、純水沖洗：使用晶片專用的沖洗設備對晶片的表面進行沖洗，C、腔體清潔：清除晶片表面的藥水，D、純水超音，E、高溫除菌，F、晶片烘烤：使用烘烤設備對晶片進行烘烤，通過沖洗的方式對晶片清洗，可以減少水的使用，并且通過沖擊式的水流對晶片進行沖洗時，能夠使晶片表面殘留的藥液和微塵、污漬去除的更加干凈，對晶片進行烘烤的時候，通過自轉的方式使晶片在經過加熱區域的時候能夠受熱均勻，從而能夠使晶片在不同的區域呈現出不同的運動狀態，以適應在烘烤時的溫度的不均勻性。

技術領域

本發明屬于晶片清洗領域，具體為一種晶片清洗方法及系統。

背景技術

晶片在加工的過程中，需要保持晶片表面較高的潔凈度，因此在加工時需要對晶片首先進行清洗，以去除掉晶片表面的微塵污漬等，目前對晶片清洗時，由于設備和工藝的差異，非常容易導致晶片表面的污漬難以去除，經過藥劑浸泡后的晶片的表面的藥劑殘留量較多，僅僅是通過傳統的超聲清洗的方式，不僅耗費的水多，而且需要多次的進行清洗，耗費的時間長，在清洗完成之后，對晶片進行烘干時，由于烘箱內加熱的位置不均勻，容易導致晶片在烘干時受熱不均。

發明內容

本發明的目的是針對以上問題，提供一種晶片清洗方法及系統，去除晶片清洗時殘留的藥液和微塵，方便清洗，提高烘烤效果。

為實現以上目的，本發明采用的技術方案是：一種晶片清洗方法，包括以下步驟：

A、藥液清洗：使用清洗藥液對晶片進行超聲清洗，去除晶片表面的微塵和污漬；藥液配比2％-4％；清洗溫度：45℃-55℃；時間：12-15min；

B、純水沖洗：使用晶片專用的沖洗設備對晶片的表面進行沖洗，去除掉晶片表面的藥液和殘存的微塵、污漬，沖洗時間：30s以上；

C、腔體清潔：清除晶片表面的藥水，時間：12-16min；

D、純水超音：使用純水進行超聲波清洗，溫度：50℃-70℃；時間：12-16min；

E、高溫除菌：時間12-16min；

F、晶片烘烤：使用烘烤設備對晶片進行烘烤，烘烤溫度140℃-160℃；烘烤時間：60min以上。

進一步的，包括箱體，所述箱體內放置籃筐，清洗的晶片放置于所述籃筐內，所述籃筐內部空心，且其側邊部分設置有若干個出水管，出水管上設置若干個霧化噴頭，所述箱體內轉動設置對晶片進行沖洗的清洗部，所述清洗部和所述出水管分別連接水源，連接水源的管道上設置控制管道通斷的控制機構。

進一步的，所述籃筐上設置有將晶片夾具托起的托板，所述托板上設置將所述晶片夾具夾緊的壓板，所述出水管穿過所述晶片夾具之間的間隙，且所述霧化噴頭朝向所述晶片夾具設置，所述出水管內滑動設置滑移管道，所述滑移管道上設置可與所述霧化噴頭相連通的通孔，所述滑移管道向所述出水管的一側延伸并貫穿所述籃筐，所述滑移管道上連接驅動其運動的驅動組件。

進一步的，所述箱體的頂面鉸接設置蓋板，所述籃筐的頂部鉸接設置壓桿，所述壓桿端部與所述蓋板相接觸，所述壓桿上設置將所述壓板的表面壓住的壓塊。

進一步的，包括烘烤箱體，所述烘烤箱體的內腔內設置帶動晶片位置進行變化的變換機構，所述烘烤箱體的內腔內設置有加熱組件，所述烘烤箱體的底面上滑動設置滑移臺，所述變換機構轉動設置在所述滑移臺上，所述變換機構上設置有中心軸，所述中心軸連接氣源并向所述烘烤箱體的內腔內通入氣體。

進一步的，所述加熱組件包括固定設置于所述烘烤箱體的內腔內的加熱箱，所述加熱箱內設置加熱管。