[發明專利]一種晶片清洗方法及系統

有效

• 申請號: 202110653070.7
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113441453B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 解華林
• 申請（專利權）人: 湖南國創同芯科技有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/12;B08B11/00;B08B11/02;F26B11/18;F26B23/04;F26B25/02
• 代理公司: 長沙智德知識產權代理事務所(普通合伙) 43207
• 代理人: 彭少波

1.一種晶片清洗方法，包括以下步驟：

A、藥液清洗：使用清洗藥液對晶片進行超聲清洗，去除晶片表面的微塵和污漬；藥液配比2%-4%；清洗溫度：45℃-55℃；時間：12-15min；

B、純水沖洗：使用晶片專用的沖洗設備對晶片的表面進行沖洗，去除掉晶片表面的藥液和殘存的微塵、污漬，沖洗時間：30s以上；

C、腔體清潔：清除晶片表面的藥水，時間：12-16min；

D、純水超音：使用純水進行超聲波清洗，溫度：50℃-70℃；時間：12-16min；

E、高溫除菌：時間12-16min；

F、晶片烘烤：使用烘烤設備對晶片進行烘烤，烘烤溫度140℃-160℃；烘烤時間：60min以上；

其中：烘烤設備包括烘烤箱體（19），所述烘烤箱體（19）的內腔內設置帶動晶片位置進行變化的變換機構，所述烘烤箱體（19）的內腔內設置有加熱組件，所述烘烤箱體（19）的底面上滑動設置滑移臺（21），所述變換機構轉動設置在所述滑移臺（21）上，所述變換機構上設置有中心軸（22），所述中心軸（22）連接氣源并向所述烘烤箱體（19）的內腔內通入氣體；

所述加熱組件包括固定設置于所述烘烤箱體（19）的內腔內的加熱箱（23），所述加熱箱（23）內設置加熱管；

所述變換機構包括轉臺（20），所述轉臺（20）連接驅動源，所述轉臺（20）上固定設置封閉箱（24）和擾流板（25），所述擾流板（25）和所述中心軸（22）的出氣口設置于所述封閉箱（24）內，所述轉臺（20）上轉動設置若干個放置晶片夾具（13）的安裝板（26），所述封閉箱（24）上設置數量以及位置和所述安裝板（26）相對應的出氣口。

2.根據權利要求1所述的一種晶片清洗方法，其特征在于：所述安裝板（26）的轉軸上固定設置摩擦輪（27），所述烘烤箱體（19）的底面上滑動設置移動座（28），所述移動座（28）上彈性的浮動設置弧形摩擦條（29）；在所述轉臺（20）的轉動下，所述摩擦輪（27）與所述弧形摩擦條（29）接觸后自轉。

3.根據權利要求1所述的一種晶片清洗方法，其特征在于：所述烘烤箱體（19）上鉸接設置封閉門（30），所述封閉門（30）上鉸接設置第一連桿（31），所述第一連桿（31）與所述滑移臺（21）之間鉸接設置第二連桿（32），所述滑移臺（21）與所述烘烤箱體（19）之間設置有復位組件，所述復位組件在所述封閉門（30）關閉之后將所述滑移臺（21）拉到烘烤時的位置。

4.一種用于權利要求1所述晶片清洗方法的沖洗設備，其特征在于：包括箱體（10），所述箱體（10）內放置籃筐（11），清洗的晶片放置于所述籃筐（11）內，所述籃筐（11）內部空心，且其側邊部分設置有若干個出水管（16），出水管（16）上設置若干個霧化噴頭（17），所述箱體（10）內轉動設置對晶片進行沖洗的清洗部（12），所述清洗部（12）和所述出水管（16）分別連接水源，連接水源的管道上設置控制管道通斷的控制機構。

5.根據權利要求4所述的沖洗設備，其特征在于：所述籃筐（11）上設置有將晶片夾具（13）托起的托板（14），所述托板（14）上設置將所述晶片夾具（13）夾緊的壓板（15），所述出水管（16）穿過所述晶片夾具（13）之間的間隙，且所述霧化噴頭（17）朝向所述晶片夾具（13）設置，所述出水管（16）內滑動設置滑移管道（18），所述滑移管道（18）上設置可與所述霧化噴頭（17）相連通的通孔，所述滑移管道（18）向所述出水管（16）的一側延伸并貫穿所述籃筐（11），所述滑移管道（18）上連接驅動其運動的驅動組件。

6.根據權利要求5所述的沖洗設備，其特征在于：所述箱體（10）的頂面鉸接設置蓋板（35），所述籃筐（11）的頂部鉸接設置壓桿（36），所述壓桿（36）端部與所述蓋板（35）相接觸，所述壓桿（36）上設置將所述壓板（15）的表面壓住的壓塊。