[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110652469.3
• 申請(qǐng)日: 2021-06-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113611655A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃吉河;談文毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L21/768;H01L29/06;H01L23/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包括:

形成第一介電層于基底上；

在該第一介電層中形成多個(gè)第一互連結(jié)構(gòu)；

在該多個(gè)第一互連結(jié)構(gòu)之間的該第一介電層中形成至少一溝槽；

進(jìn)行濺鍍沉積制作工藝以在該第一介電層上形成第二介電層，其中該第二介電層至少部分封口該溝槽中的氣隙；以及

在該第二介電層上形成第三介電層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第二介電層的材料包括氧化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第三介電層包括低介電常數(shù)(low-k)介電材料。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該溝槽并未顯露出該多個(gè)第一互連結(jié)構(gòu)的任何部分。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一介電層包括低介電常數(shù)(low-k)介電材料。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第二介電層完全封口該氣隙。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第二介電層部分封口該氣隙，且該第三介電層完全封口該氣隙。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，另包括:

對(duì)該第三介電層進(jìn)行平坦化制作工藝；以及

形成多個(gè)第二互連結(jié)構(gòu)穿過(guò)該第三介電層及該第二介電層并且與該多個(gè)第一互連結(jié)構(gòu)直接接觸。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該溝槽的步驟包括:

在該第一介電層上形成硬掩模層；

在該硬掩模層上形成光致抗蝕劑層，其中該光致抗蝕劑層包括第一開(kāi)口顯露出部分該硬掩模層；

通過(guò)該第一開(kāi)口蝕刻該硬掩模層，以在該硬掩模層中形成第二開(kāi)口；

通過(guò)該第一開(kāi)口以及該第二開(kāi)口蝕刻該第一介電層以形成該溝槽；以及

完全移除該光致抗蝕劑層及該硬掩模層。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該硬掩模層的材料包括氮化鈦(TiN)。

11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包括:

形成第一介電層于基底上；

在該第一介電層中形成多個(gè)第一互連結(jié)構(gòu)；

在該多個(gè)第一互連結(jié)構(gòu)之間的該第一介電層中形成至少一溝槽；

進(jìn)行濺鍍沉積制作工藝以于該第一介電層上形成第二介電層并且封口該溝槽中的氣隙；以及

對(duì)該第二介電層進(jìn)行平坦化制作工藝。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第二介電層的材料包括氧化硅。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該溝槽并未顯露出該多個(gè)第一互連結(jié)構(gòu)的任何部分。

14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，另包括形成多個(gè)第二互連結(jié)構(gòu)穿過(guò)該第二介電層并且與該多個(gè)第一互連結(jié)構(gòu)直接接觸。

15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該溝槽的步驟包括:

在該第一介電層上形成硬掩模層；

在該硬掩模層上形成光致抗蝕劑層，其中該光致抗蝕劑層包括第一開(kāi)口顯露出部分該硬掩模層；

通過(guò)該第一開(kāi)口蝕刻該硬掩模層，以于該硬掩模層中形成第二開(kāi)口；

通過(guò)該第一開(kāi)口以及該第二開(kāi)口蝕刻該第一介電層以形成該溝槽；以及

完全移除該光致抗蝕劑層及該硬掩模層。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該硬掩模層的材料包括氮化鈦(TiN)。