[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202110650642.6
• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113437090A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 李恭檀;李珊;徐鉉植
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃舒悅

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

第一金屬層，設于所述襯底上，所述第一金屬層包括源極、漏極和遮光部；

緩沖層，覆蓋所述第一金屬層，所述緩沖層設有貫穿所述緩沖層的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔對應所述源極設置，所述第二過孔對應所述漏極設置；以及

半導體層，設于所述緩沖層上，所述半導體層通過所述第一過孔與所述源極電連接，所述半導體層通過所述第二過孔與所述漏極電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極和所述漏極間隔設于所述遮光部的兩側。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極和所述漏極分別設于所述遮光部的兩側，所述遮光部的一側與所述源極相連，所述遮光部的另一側與所述漏極間隔設置；或者，所述遮光部的一側與所述漏極相連，所述遮光部的另一側與所述源極間隔設置。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

柵極絕緣層，設于所述半導體層上；

第二金屬層，設于所述柵極絕緣層上，所述第二金屬層包括柵極；

層間介質層，覆蓋所述緩沖層、所述半導體層、所述柵極絕緣層和所述柵極；以及

透明電極，設于所述層間介質層上，所述透明電極與所述源極電連接。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極在所述襯底上的正投影落在所述遮光部在所述襯底上的正投影內。

6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第三過孔，所述第三過孔貫穿所述緩沖層和所述層間介質層且對應所述源極，所述透明電極通過所述第三過孔與所述源極電連接。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底上形成第一金屬層；

利用黃光制程圖案化所述第一金屬層以形成源極、漏極和遮光部；

在所述第一金屬層上形成緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述襯底、所述源極、所述漏極和所述遮光部；

圖案化所述緩沖層以在所述緩沖層上與所述源極對應的位置處形成第一過孔，并在所述緩沖層上與所述漏極對應的位置處形成第二過孔；以及

在所述緩沖層上形成有源層，圖案化所述有源層形成半導體層，所述半導體層通過所述第一過孔與所述源極電連接，所述半導體層通過所述第二過孔與所述漏極電連接。

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在圖案化所述有源層以形成半導體層之后，所述制備方法還包括以下步驟：

在所述半導體層上依次形成絕緣層和第二金屬層；

圖案化所述絕緣層和所述第二金屬層，以使所述絕緣層形成柵極絕緣層，使所述第二金屬層至少形成柵極；

在所述第二金屬層上形成層間介質層；

在所述層間介質層上形成透明導電層；以及

圖案化所述透明導電層形成透明電極。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述層間介質層上形成透明導電層之前，所述制備方法還包括以下步驟：

圖案化所述層間介質層和所述緩沖層，形成貫穿所述緩沖層和所述層間介質層的第三過孔，所述透明電極通過所述第三過孔與所述源極電連接。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括對置基板、液晶層和如權利要求1-6任一項所述的陣列基板，所述陣列基板與所述對置基板相對間隔設置，所述液晶層夾設于所述陣列基板和所述對置基板之間。