[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

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• 申請日: 2021-06-11
• 公開（公告）號: CN113437090A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設計）人: 李恭檀;李珊;徐鉉植
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃舒悅

本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，陣列基板包括襯底、第一金屬層、緩沖層和半導體層，第一金屬層包括源極、漏極和遮光部，緩沖層覆蓋第一金屬層，半導體層設于緩沖層上，半導體層通過貫穿緩沖層的第一過孔與源極電連接，半導體通過貫穿緩沖層的第二過孔與漏極電連接。本發(fā)明通過將源極、漏極與遮光部同層設置于襯底上，源極、漏極與遮光部可采用同一道黃光制程形成，減少了光罩數(shù)量和制程步驟，有利于降低成本。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術

氧化物薄膜晶體管技術被認為是有希望取代非晶硅薄膜晶體管技術而成為下一代顯示驅動背板的主流技術。與非晶硅薄膜晶體管技術相比，氧化物薄膜晶體管具有遷移率較高(μ10cm2/Vs)、大面積均勻性好和生產成本較低等特點。然而，氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性仍然存在一定的問題，相對于采用背溝道蝕刻(Back Channel Etch，BCE)結構的氧化物薄膜晶體管來說，采用頂柵結構的氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性較好，但是采用頂柵結構的氧化物薄膜晶體管的制程步驟和光罩數(shù)目較多，導致成本較高。

綜上，需要提供一種新的陣列基板及其制備方法、顯示面板，來解決上述技術問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，以解決現(xiàn)有的陣列基板的制備所需制程步驟和光罩數(shù)目較多，導致成本較高的技術問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術方案如下：

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：

襯底；

第一金屬層，設于所述襯底上，所述第一金屬層包括源極、漏極和遮光部；

緩沖層，覆蓋所述第一金屬層，所述緩沖層設有貫穿所述緩沖層的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔對應所述源極設置，所述第二過孔對應所述漏極設置；以及

半導體層，設于所述緩沖層上，所述半導體層通過所述第一過孔與所述源極電連接，所述半導體層通過所述第二過孔與所述漏極電連接。

根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板，所述源極和所述漏極間隔設于所述遮光部的兩側。

根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板，所述源極和所述漏極分別設于所述遮光部的兩側，所述遮光部的一側與所述源極相連，所述遮光部的另一側與所述漏極間隔設置；或者，所述遮光部的一側與所述漏極相連，所述遮光部的另一側與所述源極間隔設置。

根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板，所述陣列基板還包括：

柵極絕緣層，設于所述半導體層上；

第二金屬層，設于所述柵極絕緣層上，所述第二金屬層包括柵極；

層間介質層，覆蓋所述緩沖層、所述半導體層、所述柵極絕緣層和所述柵極；以及

透明電極，設于所述層間介質層上，所述透明電極與所述源極電連接。

根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板，所述柵極在所述襯底上的正投影落在所述遮光部在所述襯底上的正投影內。

根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板，所述陣列基板還包括第三過孔，所述第三過孔貫穿所述緩沖層和所述層間介質層且對應所述源極，所述透明電極通過所述第三過孔與所述源極電連接。

本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底上形成第一金屬層；

利用黃光制程圖案化所述第一金屬層以形成源極、漏極和遮光部；

在所述第一金屬層上形成緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述襯底、所述源極、所述漏極和所述遮光部；