[發明專利]P型環柵器件堆疊結構及增強P型環柵器件溝道應力方法在審
| 申請號： | 202110650073.5 | 申請日： | 2021-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN113394295A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發明（設計）人： | 張衛;徐敏;劉桃;汪大偉;王晨;徐賽生;吳春蕾;尹睿 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路制造創新中心有限公司;復旦大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海慧晗知識產權代理事務所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 徐海晟;陳成 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區中國（*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 型環柵 器件 堆疊 結構 增強 溝道 應力 方法 | ||
1.一種用于P型環柵器件的堆疊結構，其特征在于，包括：
底層結構；
設置在所述底層結構上的堆疊件，所述堆疊件包括交替層疊的犧牲層與溝道層，所述犧牲層與所述底層結構接觸；
其中，所述犧牲層的材料的晶格常數小于所述溝道層的材料的晶格常數，并且所述溝道層的材料的晶格常數等于所述底層結構的材料的晶格常數；以使得初始狀態下，所述溝道層無應變，所述犧牲層具有初始的張應變；當所述犧牲層發生弛豫時，所述溝道層受到所述犧牲層因弛豫而誘導的壓應變。
2.根據權利要求1所述的用于P型環柵器件的堆疊結構，其特征在于，所述底層結構為硅襯底。
3.根據權利要求2所述的用于P型環柵器件的堆疊結構，其特征在于，所述溝道層的材料為Si，所述犧牲層的材料為SiC。
4.根據權利要求1所述的用于P型環柵器件的堆疊結構，其特征在于，所述底層結構為SRB層。
5.據權利要求4所述的用于P型環柵器件的堆疊結構，其特征在于，所述SRB層具體為Si0.5Ge0.5。
6.據權利要求5所述的用于P型環柵器件的堆疊結構，其特征在于，所述溝道層的材料為Si0.5Ge0.5，所述犧牲層的材料為Si0.75Ge0.25。
7.據權利要求1-6任一項所述的用于P型環柵器件的堆疊結構，其特征在于，所述溝道層為納米線結構或者納米片結構。
8.一種增強P型環柵器件的溝道應力的方法，其特征在于，包括：
提供底層結構；
在所述底層結構上形成堆疊件，所述堆疊件包括交替層疊的犧牲層與溝道層，所述犧牲層與所述底層結構接觸；其中，所述犧牲層的材料的晶格常數小于所述溝道層的材料的晶格常數，并且所述溝道層的材料的晶格常數等于所述底層結構的材料的晶格常數；以使得初始狀態下，所述溝道層無應變，所述犧牲層具有初始的張應變；
進行制備P型環柵器件的后續工藝，所述犧牲層在后續工藝的作用下發生弛豫，所述溝道層受到所述犧牲層因弛豫而誘導的壓應變。
9.如權利要求8所述的增強P型環柵器件的溝道應力的方法，其特征在于，所述后續工藝包括但不限于：
對堆疊件進行鰭結構刻蝕以及鰭結構截斷，形成鰭結構；
對鰭結構進行源/漏刻蝕，形成源/漏空腔；
在所述源/漏空腔內外延源/漏層，形成源/漏區；
去除所述鰭結構中的犧牲層，進行溝道釋放。
10.根據權利要求8或9所述的增強P型環柵器件的溝道應力的方法，其特征在于，所述底層結構為硅襯底。
11.根據權利要求10所述的增強P型環柵器件的溝道應力的方法，其特征在于，所述溝道層的材料為Si，所述犧牲層的材料為SiC。
12.根據權利要求8或9所述的增強P型環柵器件的溝道應力的方法，其特征在于，所述底層結構為SRB層。
13.據權利要求13所述的增強P型環柵器件的溝道應力的方法，其特征在于，所述SRB層具體為Si0.5Ge0.5。
14.據權利要求14所述的增強P型環柵器件的溝道應力的方法，其特征在于，所述溝道層的材料為Si0.5Ge0.5，所述犧牲層的材料為Si0.75Ge0.25。
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