[發明專利]一種高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法及結構

在審

• 申請號: 202110649671.0
• 申請日: 2021-06-10
• 公開（公告）號: CN113380634A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 王波;葛迎飛;張榮臻
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/31
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

本發明公開一種高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法及結構，屬于晶圓級封裝領域。提供功能芯片，在其背面居中貼裝散熱片；用封裝材料封裝所述功能芯片和所述散熱片；在所述功能芯片的正面制作金屬連接線、介質層；對封裝材料進行研磨至露出所述散熱片，制作引出管腳，再進行切割得到單顆電路，構成完整的晶圓級封裝體。本發明的高散熱性能的晶圓級扇出封裝結構，適用于晶圓級扇出封裝，不僅能夠保障封裝整體的結構強度，也能滿足部分芯片背面要接地的需求；有效提高了晶圓級封裝中的功能芯片散熱性能，有效解決了傳統晶圓級封裝中芯片散熱性能差的問題。

技術領域

本發明涉及晶圓級封裝技術領域，特別涉及一種高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法及結構。

背景技術

隨著現代科學技術的快速進步和軍用民用市場需求的快速增長，各類電子產品的外形尺寸越來越小，各類電子元件的需求量也逐年提高，晶圓級封裝憑借封裝尺寸小以及能夠大規模量產的先天優勢被更加廣泛地采用，但是其芯片散熱困難的問題也越來越突出。如果忽略散熱問題，會出現接口電路連接不匹配甚至整體電路失效的嚴重后果；如果強行減薄封裝材料的厚度以達到散熱的目的，又會存在芯片與封裝材料結合面積太小導致封裝結構強度太低的易碎裂風險。因此，保證整體封裝結構強度的同時解決好芯片散熱問題在晶圓級扇出封裝中尤為重要。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法及結構，以解決背景技術中的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法，包括：

提供功能芯片，在其背面居中貼裝散熱片；

用封裝材料封裝所述功能芯片和所述散熱片；

在所述功能芯片的正面制作金屬連接線和介質層；

對封裝材料進行研磨至露出所述散熱片，在金屬連接線上制作引出管腳，再進行切割得到單顆電路。

可選的，所述散熱片通過導熱膠或金屬焊料貼裝在所述功能芯片的背面且居中。

可選的，所述封裝材料的上表面和所述散熱片的上表面處于同一水平面；所述封裝材料的下表面和所述功能芯片的正面處于同一水平面。

可選的，所述散熱片的側面設置有梳狀結構。

本發明還提供了一種高散熱性能的晶圓級扇出封裝結構，包括：

功能芯片，包括正面和背面；

散熱片，貼裝在所述功能芯片的背面且居中；

封裝材料，封裝所述功能芯片和所述散熱片；

布線引出模塊，制作在所述功能芯片的正面。

可選的，所述布線引出模塊包括金屬連接線、介質層和引出管腳。

可選的，所述散熱片的側面設置有梳狀結構。

可選的，所述散熱片通過導熱膠或金屬焊料貼裝在所述功能芯片的背面且居中。

在本發明提供的高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法及結構中，提供功能芯片，在其背面居中貼裝散熱片；用封裝材料封裝所述功能芯片和所述散熱片；在功能芯片的正面制作金屬連接線和介質層；對封裝材料進行研磨至露出散熱片，在金屬連接線上制作引出管腳，再進行切割得到單顆電路。本發明的高散熱性能的晶圓級扇出封裝結構，適用于晶圓級扇出封裝，不僅能夠保障封裝整體的結構強度，也能滿足部分芯片背面要接地的需求；有效提高了晶圓級封裝中的功能芯片散熱性能，有效解決了傳統晶圓級封裝中芯片散熱性能差的問題。

附圖說明

圖1是在功能芯片的背面貼裝散熱片的示意圖；

圖2是用封裝材料封裝功能芯片和散熱片的示意圖；

圖3是在功能芯片的正面制作金屬連接線和介質層的示意圖；

圖4是研磨封裝材料露出散熱片的示意圖；

圖5是在功能芯片的正面制作引出管腳的示意圖；