[發(fā)明專利]一種高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法及結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110649671.0 | 申請日： | 2021-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN113380634A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王波;葛迎飛;張榮臻 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 散熱 性能 晶圓級扇出 封裝 方法 結構 | ||
1.一種高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法，其特征在于，包括：
提供功能芯片，在其背面居中貼裝散熱片；
用封裝材料封裝所述功能芯片和所述散熱片；
在所述功能芯片的正面制作金屬連接線和介質層；
對封裝材料進行研磨至露出所述散熱片，在金屬連接線上制作引出管腳，再進行切割得到單顆電路。
2.如權利要求1所述的高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法，其特征在于，所述散熱片通過導熱膠或金屬焊料貼裝在所述功能芯片的背面且居中。
3.如權利要求1所述的高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法，其特征在于，所述封裝材料的上表面和所述散熱片的上表面處于同一水平面；所述封裝材料的下表面和所述功能芯片的正面處于同一水平面。
4.如權利要求1所述的高散熱性能的晶圓級扇出封裝方法，其特征在于，所述散熱片的側面設置有梳狀結構。
5.一種高散熱性能的晶圓級扇出封裝結構，其特征在于，包括：
功能芯片，包括正面和背面；
散熱片，貼裝在所述功能芯片的背面且居中；
封裝材料，封裝所述功能芯片和所述散熱片；
布線引出模塊，制作在所述功能芯片的正面。
6.如權利要求5所述的高散熱性能的晶圓級扇出封裝結構，其特征在于，所述布線引出模塊包括金屬連接線、介質層和引出管腳。
7.如權利要求5所述的高散熱性能的晶圓級扇出封裝結構，其特征在于，所述散熱片的側面設置有梳狀結構。
8.如權利要求5所述的高散熱性能的晶圓級扇出封裝結構，其特征在于，所述散熱片通過導熱膠或金屬焊料貼裝在所述功能芯片的背面且居中。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
