[發(fā)明專利]利用聚合物沉積技術(shù)保護管芯隅角

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• 申請日: 2021-06-10
• 公開（公告）號: CN113809006A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊博智
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

1.一種用于分離半導(dǎo)體管芯組件的半導(dǎo)體管芯的方法，包括：

在半導(dǎo)體管芯組件的第一表面上沉積第一涂層，所述半導(dǎo)體管芯組件包括具有多個半導(dǎo)體管芯的管芯晶片，所述管芯晶片具有所述第一表面和第二表面；

移除所述第一涂層的一部分和所述管芯晶片的相鄰的半導(dǎo)體管芯之間的第一部分，以在所述管芯晶片中所述第一表面和所述第二表面之間形成具有中間深度的溝槽，使得相鄰的半導(dǎo)體管芯的管芯隅角形成在所述溝槽的任一側(cè)上；

在所述管芯組件的所述第一表面上沉積保護涂層，所述保護涂層覆蓋所述管芯隅角、所述溝槽和所述第一涂層的至少一部分；

選擇性地移除所述第一涂層，使得所述保護涂層的覆蓋所述管芯隅角和所述溝槽的部分保留在所述管芯晶片上；以及

將相鄰的半導(dǎo)體管芯彼此分離，使得所述保護涂層保持覆蓋所述管芯隅角。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一涂層包括水溶性材料，所述方法進一步包括在沉積所述保護涂層之后移除所述第一涂層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述保護涂層包括聚合物材料，所述聚合物材料粘附到所述管芯隅角，并且在移除所述第一涂層之后保持附著到所述管芯隅角。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括在沉積所述保護涂層之前，移除所述管芯晶片的相鄰的半導(dǎo)體管芯之間的第二部分，以形成從所述溝槽延伸穿過所述管芯晶片的所述相鄰的半導(dǎo)體管芯之間的至少一部分的通道。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述沉積所述保護涂層進一步包括在所述通道的側(cè)壁上沉積所述保護涂層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第一部分和所述第二部分是使用等離子體切割工藝來移除的。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述沉積所述保護涂層和所述等離子體切割工藝兩者都發(fā)生在同一腔室中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括在沉積所述第一涂層之前或在沉積所述保護涂層之后，對所述管芯晶片進行背面研磨。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積所述保護涂層包括在所述管芯組件的外表面上模制材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述保護涂層包括碳氟(C₄F₈)或氮化硅(SiN)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述移除所述管芯晶片的所述第一部分包括激光開槽。

12.一種用于分離半導(dǎo)體管芯組件的半導(dǎo)體管芯的方法，包括：

在包括具有多個半導(dǎo)體管芯的管芯晶片的半導(dǎo)體管芯組件的外表面之上施加掩模；

移除所述管芯晶片的第一部分和所述掩模的相應(yīng)部分，以形成延伸到所述管芯晶片內(nèi)中間深度的溝槽和所述溝槽相對側(cè)上的相鄰的半導(dǎo)體管芯上的管芯隅角；

移除所述管芯晶片的所述管芯隅角之間的第二部分，以在所述溝槽的寬度內(nèi)形成具有側(cè)壁的通道；

在至少所述管芯隅角和所述側(cè)壁之上沉積保護涂層；以及

移除所述掩模和沉積在所述掩模之上的所述保護涂層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中移除所述第一部分和所述第二部分包括等離子體切割工藝。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述掩模包括水溶性材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述保護涂層包括聚合物材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述保護涂層包括碳氟(C₄F₈)或氮化硅(SiN)。