[發明專利]利用聚合物沉積技術保護管芯隅角

在審

• 申請號: 202110647223.7
• 申請日: 2021-06-10
• 公開（公告）號: CN113809006A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 楊博智
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

本申請涉及通過使用聚合物沉積技術的管芯隅角保護。一種用于分離半導體管芯組件的半導體管芯的方法包括在組件的第一表面上沉積第一涂層。組件包括具有多個半導體管芯以及第一表面和第二表面的管芯晶片。在相鄰的半導體管芯之間移除管芯晶片的第一部分和第一涂層，以在管芯晶片中第一表面和第二表面之間形成具有中間深度的溝槽，使得管芯隅角形成在溝槽的任一側上。在管芯組件的第一表面上沉積保護涂層，以覆蓋管芯隅角、溝槽和第一涂層的至少一部分。選擇性地移除第一涂層，使得保護涂層的覆蓋管芯隅角和溝槽的部分保留在管芯晶片上。將相鄰的半導體管芯彼此分離，并且使保護涂層保持覆蓋管芯隅角。

技術領域

本技術涉及半導體制造。更具體地，本技術的一些實施例涉及用于在分離和其他制造工藝期間保護管芯的隅角、邊緣和/或側壁的技術。

背景技術

半導體管芯通常通過在具有一或多層的器件晶片上以柵格圖案排列多個管芯來制造。然后將管芯相互分離。分離工藝可以通過例如等離子體切割、激光燒蝕或旋轉刀片來完成。在分離工藝和其他制造步驟(諸如，器件晶片的背面研磨)期間，可能導致對管芯的損壞，諸如沿著管芯隅角和邊緣的開裂，以及層的分層。管芯受到的物理損壞可降低其可靠性和良率。

發明內容

在一方面，本申請提供一種用于分離半導體管芯組件的半導體管芯的方法，包括：在半導體管芯組件的第一表面上沉積第一涂層，該半導體管芯組件包括具有多個半導體管芯的管芯晶片，該管芯晶片具有第一表面和第二表面；移除第一涂層的一部分和管芯晶片的相鄰的半導體管芯之間的第一部分，以在管芯晶片中第一表面和第二表面之間形成具有中間深度的溝槽，使得相鄰的半導體管芯的管芯隅角形成在溝槽的任一側上；在管芯組件的第一表面上沉積保護涂層，保護涂層覆蓋管芯隅角、溝槽和第一涂層的至少一部分；選擇性地移除第一涂層，使得保護涂層的覆蓋管芯隅角和溝槽的部分保留在管芯晶片上；以及將相鄰的半導體管芯彼此分離，使得保護涂層保持覆蓋管芯隅角。

在另一方面，本申請提供一種用于分離半導體管芯組件的半導體管芯的方法，包括：在包括具有多個半導體管芯的管芯晶片的半導體管芯組件的外表面之上施加掩模；移除管芯晶片的第一部分和掩模的相應部分，以形成延伸到管芯晶片內中間深度的溝槽和溝槽相對側上的相鄰的半導體管芯上的管芯隅角；移除管芯晶片的管芯隅角之間的第二部分，以在溝槽的寬度內形成具有側壁的通道；在至少管芯隅角和側壁之上沉積保護涂層；以及移除掩模和沉積在掩模之上的保護涂層。

在另一方面，本申請提供一種半導體管芯，包括：具有第一表面和第二表面的管芯晶片；管芯隅角，沿著管芯晶片的第一表面的外邊緣形成；側壁，從管芯晶片的第一表面延伸到第二表面；和保護涂層，粘附到管芯隅角。

附圖說明

參考以下附圖，可以更好地理解本技術的許多方面。附圖中的部件不一定按比例繪制。相反，重點在于說明本技術的原理。

圖1A是根據本技術的半導體管芯組件的兩個相鄰的管芯的剖視圖，其中在分離之前保護涂層沉積在管芯的隅角上。

圖1B是根據本技術分離的圖1A的半導體管芯組件的兩個相鄰的管芯的剖視圖。

圖2A示出了根據本技術半導體管芯組件的兩個相鄰的管芯的另一剖視圖，其中在分離之前保護涂層沉積在管芯的隅角和側壁上。

圖2B是根據本技術分離后圖2A的管芯組件的兩個相鄰的管芯的剖視圖。

圖3A是根據本技術的半導體管芯組件的剖視圖，示出了分離之前的兩個半導體管芯。

圖3B是根據本技術的在管芯晶片已經減薄之后圖3A的半導體管芯組件的剖視圖。

圖3C是根據本技術的安裝到器件晶片的圖3B的半導體管芯組件的剖視圖。

圖3D是根據本技術的在施加第一涂層并在相鄰的管芯之間形成溝槽之后，圖3C的半導體管芯組件的剖視圖。