[發明專利]雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法

在審

• 申請號: 202110646940.8
• 申請日: 2021-06-10
• 公開（公告）號: CN113376484A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 周軼靚;賀賢漢;王斌;葛荘;顧鑫;吳承侃
• 申請（專利權）人: 上海富樂華半導體科技有限公司
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12
• 代理公司: 上海申浩律師事務所 31280
• 代理人: 陸葉

本發明涉及半導體制造技術領域。雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，包括如下步驟：步驟一，在盒體內注入絕緣油；盒體內固定有底座，底座包括電極底座、下彈性層以及下金屬片，下金屬片設有下延伸條，下延伸條與電極底座接觸連接，盒體的底部安裝有金屬觸頭，金屬觸頭與電極底座接觸電連接；金屬觸頭與局部放電測試儀的負極端子電相連；步驟二，將雙面覆銅陶瓷基板放置在底座上；步驟三，將蓋板放置在雙面覆銅陶瓷基板上；蓋板包括從上至下設置的探針蓋板、上彈性層以及上金屬片，上金屬片設有上延伸條，上延伸條與探針蓋板接觸連接；步驟四，局部放電測試儀的正極探針以及負極端子之間施加電壓進行測試。簡單易行、無損檢測，普適性強。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，具體是用于局部放電測試時的工件固定治具。

背景技術

對于高壓IGBT模塊而言，內部的絕緣性能是一項重要的技術指標，通常以局部放電量來衡量。隨著IGBT模塊電壓等級的不斷提升和集成密度的不斷增大，對其絕緣性能提出了更高的要求。在高壓IGBT模塊的內部結構中，影響模塊絕緣性能的介質主要有兩種：一種是硅膠，填充在模塊內部各器件的間隙中，并將模塊內部各器件表面完全覆蓋，防止模塊內部發生絕緣擊穿，另一種是具有高介電強度的雙面覆有金屬層的陶瓷基板，實現基板表面的電路圖案以及襯板上表面器件與基板之間的電氣絕緣。對金屬陶瓷基板進行局部放電測試(以下簡稱局放)并篩選優良品，能夠有效提高IGBT模塊的合格品率和產品質量。

現有技術中，關于對金屬陶瓷基板局放測試的研究較少。而金屬陶瓷基板母板表面金屬層蝕刻有復雜精細的孤島狀線路圖案，一片母板上有數十個乃至上百個孤島狀金屬單元，要一次性測試整片母板每個孤島狀金屬單元的局放量需要上百個探針，成本巨大，且探針過細會劃傷金屬層，不能實現無損檢測，局放測試儀測試探針數量有限，需要多次測試，或將母板切割成小枚再多次測試，測試效率低。

發明內容

針對現有技術存在的問題，本發明提供雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，以解決以上至少一個技術問題。

為了達到上述目的，本發明提供了雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，在盒體內注入絕緣油；

所述盒體內固定有底座，所述底座包括從下至上設置的電極底座、下彈性層以及下金屬片，所述下金屬片設有向下延伸的下延伸條，所述下延伸條與所述電極底座接觸連接，所述電極底座的材料是導電材料；

所述盒體的底部安裝有金屬觸頭，所述金屬觸頭與所述電極底座接觸電連接；

所述盒體放置在局部放電測試儀上，且金屬觸頭與局部放電測試儀的負極端子電相連；

步驟二，將雙面覆銅陶瓷基板放置在底座上，雙面覆銅陶瓷基板的一面與下金屬片接觸；

步驟三，將蓋板放置在雙面覆銅陶瓷基板上；

所述蓋板包括從上至下設置的探針蓋板、上彈性層以及上金屬片，所述上金屬片設有向上延伸的上延伸條，所述上延伸條與所述探針蓋板接觸連接，所述探針蓋板的材料是導電材料；

所述下金屬片與雙面覆銅陶瓷基板的另一面接觸；

步驟四，局部放電測試儀的正極探針與探針蓋板相連，局部放電測試儀的正極探針以及負極端子之間施加電壓進行測試。

步驟一中，絕緣油的高度高于底座5mm-30mm。高于底座5mm是為了保證覆銅基板放置入盒體中，絕緣油能夠很快的沒入覆銅基板的溝槽中，如果低于5mm，放置蓋板壓緊后，可能會有溝槽出未完全填入絕緣油或填入后有氣泡，壓緊后，即使再次注入絕緣油，這種會造成局放測試干擾的不利因素也很難消除。如果絕緣油高于30mm，放置蓋板后，可能會出現絕緣油溢出盒體，即造成絕緣油材料的浪費以及需要清洗設備，造成人力物力的浪費。