[發明專利]雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法

在審

• 申請號: 202110646940.8
• 申請日: 2021-06-10
• 公開（公告）號: CN113376484A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 周軼靚;賀賢漢;王斌;葛荘;顧鑫;吳承侃
• 申請（專利權）人: 上海富樂華半導體科技有限公司
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12
• 代理公司: 上海申浩律師事務所 31280
• 代理人: 陸葉

1.雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，在盒體內注入絕緣油；

所述盒體內固定有底座，所述底座包括從下至上設置的電極底座、下彈性層以及下金屬片，所述下金屬片設有向下延伸的下延伸條，所述下延伸條與所述電極底座接觸連接，所述電極底座的材料是導電材料；

所述盒體的底部安裝有金屬觸頭，所述金屬觸頭與所述電極底座接觸電連接；

所述盒體放置在局部放電測試儀上，且金屬觸頭與局部放電測試儀的負極端子電相連；

步驟二，將雙面覆銅陶瓷基板放置在底座上，雙面覆銅陶瓷基板的一面與下金屬片接觸；

步驟三，將蓋板放置在雙面覆銅陶瓷基板上；

所述蓋板包括從上至下設置的探針蓋板、上彈性層以及上金屬片，所述上金屬片設有向上延伸的上延伸條，所述上延伸條與所述探針蓋板接觸連接，所述探針蓋板的材料是導電材料；

所述下金屬片與雙面覆銅陶瓷基板的另一面接觸；

步驟四，局部放電測試儀的正極探針與探針蓋板相連，局部放電測試儀的正極探針以及負極端子之間施加電壓進行測試。

2.根據權利要求1所述的雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于：步驟一中，絕緣油的高度高于底座5mm-30mm；

在步驟三與步驟四之間，如若絕緣油沒有沒過蓋板，再次注入絕緣油至完全沒過蓋板。

3.根據權利要求1所述的雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于：所述上金屬片貼敷在所述上彈性層的下側，所述上彈性層的上側通過背膠與所述探針蓋板黏附連接；

所述下金屬片貼敷在所述下彈性層的上側，所述下彈性層的下側通過背膠與所述電極底座黏附連接。

4.根據權利要求1所述的雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于：所述上金屬片為鋁片或者銅片，所述上金屬片厚度為50um-800um；

所述下金屬片為鋁片或者銅片，所述下金屬片厚度為50um-800um。

5.根據權利要求1所述的雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于：所述電極底座、所述下彈性層、所述下金屬片、所述探針蓋板、所述上彈性層以及所述上金屬片均為長方體狀。

6.根據權利要求1所述的雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于：所述上彈性層為泡沫或者橡膠；

所述下彈性層為泡沫或者橡膠。

7.根據權利要求1所述的雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于：所述盒體的高度大于所述底座的高度；

所述盒體內固定有用于對底座進行限位的限位柱；

所述限位柱的頂部高于所述底座的頂部，且高度差為5mm-10mm。

8.根據權利要求1所述的雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于：所述探針蓋板上兩側設置有把手。

9.根據權利要求1所述的雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于：所述電極底座厚度為10mm-30mm，所述下彈性層厚度為5mm-20mm，所述探針蓋板厚度為10mm-30mm，所述上彈性層的厚度為5mm-20mm，所述盒體的高度為80mm-200mm。

10.根據權利要求1所述的雙面覆銅陶瓷基板的局部放電測試方法，其特征在于：步驟四中，通過氣動閥門控制正極探針伸出落下壓在蓋板上，在蓋板和底座間施加0.1MPa-1MPa壓力；

局部放電測試儀的正極探針以及負極端子之間施加4Kv-10Kv的電壓，記錄局放曲線Q/t。