[發明專利]一種硅基OLED微顯示器件及其制造工藝

在審

• 申請號: 202110646407.1
• 申請日: 2021-06-10
• 公開（公告）號: CN113380963A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 孟慶玲
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 朱圣榮

本發明揭示了一種硅基OLED微顯示器件，主要采用圖案化的微透鏡陣列，作為OLED器件封裝層的一部分或者在遠離發光層的一側制備微透鏡陣列，以達到降低硅基OLED微顯示屏的表面反射率的目的。本發明在目前已有的硅基OLED微顯示屏制造過程中，僅增加一道制程工藝，具有工藝簡單，可明顯提升性能等特點。

技術領域

本發明涉及于有機電致發光器件領域，尤其涉及硅基微顯示屏的微透鏡技術。

背景技術

OLED(Organic Light Emitting，有機發光二極管)具有自發光，低功耗，全固態，視角廣，高色域，響應時間短等諸多優點，被廣泛應用于顯示屏制造行業，被認為是極具潛力的下一代顯示技術。硅基OLED微顯示器是一種將主動型發光OLED制作在硅基CMOS驅動電路基板上的一種新型顯示技術，被稱為下一代顯示技術的黑馬。硅基OLED微顯示器兼具體積小，重量輕，高分辨率，高亮度，高精度等優勢，可廣泛應用于頭盔、槍瞄，夜視儀中，在AR/VR等近眼顯示器的應用前景也非常廣闊。

常規的硅基OLED微顯示器件結構主要包含硅基CMOS驅動電路、OLED發光結構，薄膜封裝結構、蓋板玻璃等結構；其中OLED發光結構包含陽極金屬材料，OLED發光材料和陰極金屬材料；陽極金屬和陰極金屬給OLED發光材料提供發光所需要的驅動電壓，OLED發光材料發出的光透過陰極、薄膜封裝和蓋板玻璃，完成顯示的效果。作為頂發射器件，需要陰極為透明材料，陰極給OLED發光器件提供驅動電壓，為確保OLED發光的均一性，需要陰極材料的電阻盡可能的小。目前常用的陰極材料有Ag和Mg/Ag合金，Ag或者Mg/Ag合金的厚度在納米量級時，表現為高透過率的透明材料。但是Ag或者Mg/Ag合金，作為金屬材料，仍具有部分金屬特性，即較高的反射率。因此，以上結構的硅基OLED微顯示器件，在較強的環境光氛圍下，會表現出一定的反射特性，從而影響其顯示效果。

OLED的發光層發射出的光經過多層有機材料的吸收和反射后，會產生表面等離子模態損失，波導模態損失，基低模態損失，金屬損失等，OLED發光層發射出的光在不同層產生的各種損失導致出光率降低，尤其是單色產品，這種現象會更加嚴重。鑒于上述問題，有必要提供一種新的硅基微顯示屏的制備方法，以解決上述問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是實現一種硅基OLED微顯示器件及其制造工藝，以減少光線發生全反射的機會，降低由波導效應帶來的光吸收損失，從而提高OLED顯示屏的顯示品質。

為了實現上述目的，本發明采用的技術方案為：一種硅基OLED微顯示器件，包括硅基CMOS驅動電路基板，以及依次制作在硅基CMOS驅動電路基板上的發光層、薄膜封裝層、蓋板玻璃，還設有微透鏡陣列層，所述微透鏡陣列層位于薄膜封裝層遠離發光層一側，或者位于薄膜封裝層內作為薄膜封裝層的一部分。

所述薄膜封裝層和蓋板玻璃之間還設有平坦化層和OCR層，所述OCR層接觸蓋板玻璃，所述薄膜封裝層和發光層之間設有共陰極。

所述微透鏡陣列的折射率n值介于1.1-1.4之間。

所述微透鏡陣列層的材料為SiO、SiN、氟化鎂、二氧化鈦、A_l2O₃中的一種或多種組合。

所述微透鏡陣列層為單層膜結構，或者為多層膜結構堆疊構成(微透鏡陣列層是以單層或者多層減反射材料做成的)。

所述微透鏡陣列層的厚度在50nm～200nm之間。

一種所述硅基OLED微顯示器件的制作工藝：

步驟1、將硅基CMOS驅動電路基板清洗干凈后烘干；

步驟2、在硅基CMOS驅動電路基板上蒸鍍有機材料和陰極金屬材料；

步驟3、將蒸鍍有有機材料和陰極金屬材料的基板傳遞至薄膜封裝設備，進行有機和無機薄膜封裝；