[發(fā)明專利]一種硅基OLED微顯示器件及其制造工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110646407.1 | 申請日： | 2021-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN113380963A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孟慶玲 | 申請（專利權）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱圣榮 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市蕪湖長江*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 oled 顯示 器件 及其 制造 工藝 | ||
1.一種硅基OLED微顯示器件，包括硅基CMOS驅動電路基板，以及依次制作在硅基CMOS驅動電路基板上的發(fā)光層、薄膜封裝層、蓋板玻璃，其特征在于：還設有微透鏡陣列層，所述微透鏡陣列層位于薄膜封裝層遠離發(fā)光層一側，或者位于薄膜封裝層內作為薄膜封裝層的一部分。
2.根據權利要求1所述的硅基OLED微顯示器件，其特征在于：所述薄膜封裝層和蓋板玻璃之間還設有平坦化層和OCR層，所述OCR層接觸蓋板玻璃，所述薄膜封裝層和發(fā)光層之間設有共陰極。
3.根據權利要求1或2所述的硅基OLED微顯示器件，其特征在于：所述微透鏡陣列的折射率n值介于1.1-1.4之間。
4.根據權利要求3所述的硅基OLED微顯示器件，其特征在于：所述微透鏡陣列層的材料為SiO、SiN、氟化鎂、二氧化鈦、Al2O3中的一種或多種組合。
5.根據權利要求4所述的硅基OLED微顯示器件，其特征在于：所述微透鏡陣列層為單層膜結構，或者為多層膜結構堆疊構成。
6.根據權利要求5所述的硅基OLED微顯示器件，其特征在于：所述微透鏡陣列層的厚度在50nm～200nm之間。
7.一種如權利要求1-6中任一所述硅基OLED微顯示器件的制作工藝，其特征在于：
步驟1、將硅基CMOS驅動電路基板清洗干凈后烘干；
步驟2、在硅基CMOS驅動電路基板上蒸鍍有機材料和陰極金屬材料；
步驟3、將蒸鍍有有機材料和陰極金屬材料的基板傳遞至薄膜封裝設備，進行有機和無機薄膜封裝；
步驟4、在薄膜封裝材料表面制備微透鏡陣列層；
步驟5、蓋板玻璃封裝；
步驟6、電路焊接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
