[發明專利]微發光器件的轉印裝置、轉印方法及顯示面板有效
| 申請號: | 202110645839.0 | 申請日: | 2021-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN113394137B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 李蒙蒙;盛翠翠;董小彪;葛泳;王程功 | 申請(專利權)人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L23/544;H01L33/48;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 611731 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 裝置 方法 顯示 面板 | ||
本發明實施例提供一種微發光器件的轉印裝置、轉印方法及顯示面板,微發光器件的轉印裝置包括:拾取基板,用于接收待轉移的微發光器件,拾取基板包括層疊設置的第一本體及第一粘接層,第一粘接層背離第一本體的表面具有用于與微發光器件對位的第一對位標記;目標基板,用于接收從拾取基板轉移的微發光器件,目標基板和拾取基板相對可移動設置,目標基板包括層疊設置的第二本體及用于粘接微發光器件的第二粘接層;激光器,用于發射激光以使微發光器件由第一粘接層脫落。本發明實施例的轉印裝置通過在第一粘接層上設置第一對位標記能夠提高微發光器件和拾取基板的對位精度,提高微發光器件轉移技術的良率。
技術領域
本發明涉及顯示制備設備技術領域,尤其涉及一種微發光器件的轉印裝置、轉印方法及顯示面板。
背景技術
微型發光二極管(Micro-LED)技術,即LED微縮化和矩陣化技術,是在一個芯片上集成高密度微小尺寸的LED陣列,像素尺寸達到100微米以下。Micro-LED技術是一種新的發光顯示技術,相比傳統LCD、OLED等,Micro?LED有著功耗低、響應快、壽命長、光效率高等特點。隨著顯示屏尺寸增加,需要將百萬甚至千萬微米級尺寸大小的LED芯片進行轉移,傳統轉移工藝已無法滿足。
Micro-LED的巨量轉移既要保證轉移的效率還要保證轉移的良率。巨量轉移技術有多種不同方式,其中激光轉印是一種新型的巨量轉移技術,具有轉移量和轉移率高等優勢,但是目前激光轉印技術中的良率較低。
發明內容
本發明實施例提供一種微發光器件的轉印裝置、轉印方法及顯示面板,旨在提高微發光器件轉移技術的良率。
本發明第一方面的實施例提供了一種微發光器件的轉印裝置,微發光器件的轉印裝置包括:拾取基板,用于接收待轉移的微發光器件,拾取基板包括層疊設置的第一本體及第一粘接層,第一粘接層背離第一本體的表面具有用于與微發光器件對位的第一對位標記;目標基板,用于接收從拾取基板轉移的微發光器件,目標基板和拾取基板相對可移動設置,目標基板包括層疊設置的第二本體及用于粘接微發光器件的第二粘接層;激光器,用于發射激光以使微發光器件由第一粘接層脫落。
根據本發明第一方面的實施方式,第二粘接層背離第二本體的表面具有用于與微發光器件對位的第二對位標記。使得微發光器件可以通過第二對位標記與目標基板進行對位,提高微發光器件和目標基板之間的對位精度,進而提高微發光器件轉移技術的良率。根據第二對位標記還可以快速判斷微發光器件和目標基板之間的對位精度是否達到要求。
根據本發明第一方面前述任一實施方式,第二對位標記呈凹槽狀并用于容納微發光器件,使得微發光器件能夠容納于第二對位標記內完成其與目標基板的對位;或者,第二對位標記呈環狀并用于環繞微發光器件。當微發光器件位于第二對位標記內時,可以認為微發光器件和目標基板完成了對位。
根據本發明第一方面前述任一實施方式,第二對位標記和微發光器件一一對應設置,使得各微發光器件能夠通過各第二對位標記與目標基板對位。
根據本發明第一方面前述任一實施方式,第二對位標記的形狀包括圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形、矩形中的至少一個。
根據本發明第一方面前述任一實施方式,至少部分第一對位標記和至少部分第二對位標記的位置相對應。通過合理設置第一對位標記和第二對位標記的位置,使得拾取基板和目標基板還可以通過第一對位標記和第二對位標記進行對位。因此本申請中無需在拾取基板和目標基板上再單獨設置對位標記,能夠簡化拾取基板和目標基板的結構。
根據本發明第一方面前述任一實施方式,第一對位標記和第二對位標記的個數相等,使得各第一對位標記和各第二對位標記能夠對應設置。
根據本發明第一方面前述任一實施方式,第一對位標記呈凹槽狀并用于容納微發光器件,使得微發光器件能夠容納于第一對位標記內完成其與拾取基板的對位;或者,第一對位標記呈環狀并用于環繞微發光器件。當微發光器件位于第一對位標記內時,可以認為微發光器件和拾取基板完成了對位。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





