[發明專利]微發光器件的轉印裝置、轉印方法及顯示面板有效
| 申請號: | 202110645839.0 | 申請日: | 2021-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN113394137B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 李蒙蒙;盛翠翠;董小彪;葛泳;王程功 | 申請(專利權)人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L23/544;H01L33/48;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 611731 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 裝置 方法 顯示 面板 | ||
1.一種微發光器件的轉印裝置,其特征在于,包括:
拾取基板,用于接收待轉移的微發光器件,所述拾取基板包括層疊設置的第一本體及第一粘接層,所述第一粘接層背離所述第一本體的表面具有用于與所述微發光器件對位的第一對位標記;
目標基板,用于接收從所述拾取基板轉移的所述微發光器件,所述目標基板和所述拾取基板相對可移動設置,所述目標基板包括層疊設置的第二本體及用于粘接所述微發光器件的第二粘接層;
激光器,用于發射激光以使所述微發光器件由所述第一粘接層脫落;
墊高塊,用于保證所述拾取基板和所述目標基板之間的間距,所述墊高塊設置于所述第二粘接層。
2.根據權利要求1所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,所述第二粘接層背離所述第二本體的表面具有用于與所述微發光器件對位的第二對位標記。
3.根據權利要求2所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,所述第二對位標記呈凹槽狀并用于容納所述微發光器件;或者,所述第二對位標記呈環狀并用于環繞所述微發光器件。
4.根據權利要求2所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,所述第二對位標記和所述微發光器件一一對應設置。
5.根據權利要求2所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,所述第二對位標記的形狀包括圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形、矩形中的至少一個。
6.根據權利要求2所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,至少部分所述第一對位標記和至少部分所述第二對位標記的位置相對應。
7.根據權利要求6所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,所述第一對位標記和所述第二對位標記的個數相等。
8.根據權利要求1所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,
所述第一對位標記呈凹槽狀并用于容納所述微發光器件;或者,所述第一對位標記呈環狀并用于環繞所述微發光器件。
9.根據權利要求8所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,所述第一對位標記和所述微發光器件一一對應設置。
10.根據權利要求8所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,所述第一對位標記的形狀包括圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形、矩形中的至少一個。
11.根據權利要求1所述的微發光器件的轉印裝置,其特征在于,所述第一粘接層和/或所述第二粘接層的厚度為2μm~20μm。
12.一種微發光器件的轉印方法,其特征在于,包括:
提供一種拾取基板,所述拾取基板包括層疊設置的第一本體及第一粘接層,所述第一粘接層背離所述第一本體的表面具有第一對位標記;
根據所述第一對位標記將待轉移的微發光器件粘接于所述第一粘接層表面;
提供一種目標基板,所述目標基板包括層疊設置的第二本體及第二粘接層;
令所述拾取基板和所述目標基板對位;
向所述拾取基板發射激光以使所述微發光器件由所述第一粘接層脫落并粘接于所述第二粘接層。
13.根據權利要求12所述的方法,其特征在于,在提供一種拾取基板的步驟之前還包括制備所述拾取基板,在制備所述拾取基板的步驟中:
將帶有所述第一對位標記的所述第一粘接層設置于所述第一本體的表面形成所述拾取基板;
或者,在所述第一本體表面涂覆膠層,對所述膠層進行圖案化處理形成所述第一對位標記。
14.根據權利要求12所述的方法,其特征在于,所述第二粘接層具有第二對位標記,在令所述拾取基板和所述目標基板對位的步驟中:根據所述第一對位標記和所述第二對位標記令所述拾取基板和所述目標基板對位。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





