[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體發(fā)光元件和發(fā)光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110643648.0
• 申請(qǐng)日: 2021-06-09
• 公開（公告）號(hào): CN113363373B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鵬;盧超;曾江斌;何安和;洪靈愿;林素慧;黃敏;張中英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/62
• 分類號(hào): H01L33/62
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件和發(fā)光裝置，其中所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：半導(dǎo)體層和焊盤；半導(dǎo)體層包括：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和兩者之間的發(fā)光層；焊盤，包括第一焊盤、第二焊盤，位于半導(dǎo)體層上，第一焊盤、第二焊盤分別與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接；焊盤包括含錫銀層，含錫銀層具有相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面相對(duì)第二表面更靠近半導(dǎo)體層，自第一表面開始計(jì)算或者自第二表面開始計(jì)算，D1厚度內(nèi)銀原子數(shù)相對(duì)于錫和銀的總原子數(shù)的原子百分比具有一個(gè)峰值，所述的D1厚度為大于0微米。通過(guò)在含錫銀層第一表面或者第二表面附近設(shè)置一層高銀含量的含錫銀層，減少錫與其它金屬擴(kuò)散形成的空洞，增強(qiáng)結(jié)合力。

技術(shù)領(lǐng)域

涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件和發(fā)光裝置，尤其涉及一種倒裝發(fā)光二極管（LED）芯片以及包括倒裝發(fā)光二極管（LED）芯片的發(fā)光裝置。

背景技術(shù)

隨著LED芯片半導(dǎo)體發(fā)光元件成本的下降和技術(shù)的進(jìn)步，再加上最近LED照明行業(yè)增長(zhǎng)乏力，國(guó)內(nèi)外LED芯片半導(dǎo)體發(fā)光元件和封裝巨頭紛紛開始尋找新的市場(chǎng)增長(zhǎng)點(diǎn)。小尺寸的LED作為市場(chǎng)前景廣闊的新技術(shù)具備運(yùn)用于背光顯示或者RGB顯示領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，近兩年尤其受關(guān)注。其中100微米以下尺寸的無(wú)透明基板襯底支撐的LED目前因?yàn)榇嬖诩夹g(shù)路線不確定和成本較高的原因，短時(shí)間內(nèi)難以大規(guī)模商業(yè)化，而有透明基板襯底支撐的小尺寸LED作為小間距LED產(chǎn)品的延伸和100微米以下尺寸的無(wú)基板的LED的前奏，已經(jīng)開始在LCD背光和RGB顯示產(chǎn)品開始出貨，現(xiàn)階段例如已經(jīng)量產(chǎn)出貨的P0.9的有基板透明襯底如藍(lán)寶石支撐的小尺寸LED。尤其在室內(nèi)顯示屏應(yīng)用上，小尺寸LED具有更多的優(yōu)勢(shì)，包括更廣的可視角度、更高的可靠度、無(wú)摩爾紋現(xiàn)象等，在不同視角下不會(huì)產(chǎn)生色偏現(xiàn)象，也不會(huì)有LED之間的串亮干擾現(xiàn)象。其中倒裝小尺寸LED產(chǎn)品有更佳的電性效能，更好的散熱性，以及低訊號(hào)干擾、低連接電路損耗等特性，使得最終產(chǎn)品具有更高的可靠性。

普通尺寸的倒裝LED芯片的封裝主要采用普通錫膏回流?；亓骱傅倪^(guò)程如下：首先在電路板上涂覆錫膏，再把芯片放到相應(yīng)位置，錫膏具有一定固晶作用，可以使得芯片固定在電路板上。然而當(dāng)LED尺寸過(guò)小時(shí)，涂覆錫膏的量難以精確控制，涂覆在電路板上的錫膏易流動(dòng)，正負(fù)極性焊盤之間易通過(guò)流動(dòng)的錫膏連通，造成短路。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管，可以防止不同極性電極之間錫膏的相互接觸，產(chǎn)生短路，同時(shí)提高焊盤在電路基板上的結(jié)合能力，提高可靠性。

所述倒裝半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括：半導(dǎo)體層和焊盤；

半導(dǎo)體層包括：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和兩者之間的發(fā)光層；

焊盤，包括第一焊盤、第二焊盤，位于半導(dǎo)體層上，第一焊盤、第二焊盤分別與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層連接；

其特征在于：焊盤包括含錫銀層，含錫銀層具有相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面相對(duì)第二表面更靠近半導(dǎo)體層，自第一表面開始計(jì)算，D1厚度內(nèi)銀原子數(shù)相對(duì)于錫和銀的總原子數(shù)的原子百分比具有一個(gè)峰值，所述的D1厚度為大于0。

優(yōu)選的，所述的含錫銀層的厚度為4~20微米。

優(yōu)選的，所述的D1厚度小于等于1微米。

優(yōu)選的，所述的焊盤還包括結(jié)合層。

優(yōu)選的，所述的結(jié)合層比含錫銀層更靠近半導(dǎo)體層。

優(yōu)選的，所述的結(jié)合層為鎳層、銅層、鉑層、鎳層與銅層的組合、鎳層與鉑層的組合中一種。

優(yōu)選的，所述的結(jié)合層的厚度為200nm~1500nm。

優(yōu)選的，所述的結(jié)合層與含錫銀層之間還存在共熔層，該共熔層的組分為錫與結(jié)合層的組分的組合。

優(yōu)選的，所述共熔層的組分為含錫鎳組合物，共熔層的厚度大于0微米且不超過(guò)1微米。