[發明專利]一種半導體發光元件和發光裝置

有效

• 申請號: 202110643648.0
• 申請日: 2021-06-09
• 公開（公告）號: CN113363373B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 劉鵬;盧超;曾江斌;何安和;洪靈愿;林素慧;黃敏;張中英
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體發光元件，其包括：半導體層和焊盤；

半導體層包括：第一導電型半導體層、第二導電型半導體層和兩者之間的發光層；

絕緣層，覆蓋所述半導體層的頂表面和側壁；

焊盤，包括第一焊盤、第二焊盤，位于絕緣層上，并且第一焊盤、第二焊盤分別與第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層連接；

所述的焊盤具有相對上表面和下表面，所述的焊盤的上表面未與任何基板結合，所述的焊盤下表面與所述絕緣層接觸；

其特征在于：焊盤包括含錫銀層，含錫銀層為單層，具有相對的第一表面和第二表面，第一表面相對第二表面更靠近半導體層，自第一表面起，D1厚度內銀原子數相對于錫和銀的總原子數的原子百分比具有一個峰值，所述的D1厚度為大于0微米，所述的D1厚度小于等于1微米。

2.根據權利要求1的半導體發光元件，其特征在于，所述的含錫銀層的厚度為4～20微米。

3.根據權利要求1的半導體發光元件，其特征在于，所述的焊盤還包括結合層，結合層允許錫進入至少部分厚度的結合層。

4.根據權利要求3的半導體發光元件，其特征在于，所述的結合層比含錫銀層更靠近半導體層。

5.根據權利要求3的半導體發光元件，其特征在于，所述的結合層為鎳層、銅層、鉑層、鎳層與銅層的組合、鎳層與鉑層的組合中一種。

6.根據權利要求3的半導體發光元件，其特征在于，所述的結合層的厚度為200nm～1500nm。

7.根據權利要求4的半導體發光元件，其特征在于，所述的結合層與含錫銀層之間還存在共熔層，該共熔層的組分為錫與結合層的組分的組合。

8.根據權利要求7的半導體發光元件，其特征在于，所述共熔層的組分為含錫鎳組合物，共熔層的厚度大于0納米且不超過100納米。

9.根據權利要求1的半導體發光元件，其特征在于，所述焊盤還包括反射層，反射層比結合層更接近半導體層。

10.根據權利要求1的半導體發光元件，其特征在于，所述的焊盤具有最遠離半導體層的最上表面，含錫銀層的第二表面為焊盤的所述最上表面或者所述的含錫銀層的第二表面上還有保護層，所述的保護層的表面為所述的焊盤具有最遠離半導體層的最上表面。

11.根據權利要求1的半導體發光元件，其特征在于，所述焊盤具有最遠離半導體層的最上表面，最上表面具有凸凹不平的形貌。

12.根據權利要求1的半導體發光元件，其特征在于，所述的第一焊盤和第二焊盤之間的間距不超過200微米。

13.根據權利要求1的半導體發光元件，其特征在于，D1厚度內銀原子數相對于錫和銀的總原子數的原子百分比具有一個峰值超過20％。

14.根據權利要求1的半導體發光元件，其特征在于，D1厚度內銀原子數相對于錫和銀的總原子數的原子百分比具有一個介于50％～80％的峰值。

15.一種發光裝置，其特征在于：包括權利要求1～14任一項的半導體發光元件。