[發(fā)明專利]多排IO芯片及其設(shè)計方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110639913.8 | 申請日: | 2021-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN113506788A | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王銳;余燊鴻;李建軍;莫軍;王亞波 | 申請(專利權(quán))人: | 廣芯微電子(廣州)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/50 | 分類號: | H01L23/50 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 陳旭紅;晏靜文 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市黃埔區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | io 芯片 及其 設(shè)計 方法 | ||
本申請公開了多排IO芯片及其設(shè)計方法,其中多排IO芯片包括:芯片本體;IO圈,由若干芯片IO組成,設(shè)置在芯片本體的最外側(cè),圍在芯片本體的四周,芯片通過IO圈實現(xiàn)與外部的通訊和供電;其中,IO圈至少包括第一IO圈和第二IO圈,第一IO圈連接第二IO圈,第一IO圈的長度等于芯片的周長;第二IO圈為IO圈超出芯片周長的部分。通過上述方式,本申請將超芯片周長的部分組成第二IO圈,來減少第一IO圈的長度,從而避免了IO過多導(dǎo)致芯片面積撐大的問題,并且無需減少芯片功能和芯片邏輯。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及芯片物理技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及多排IO芯片及其設(shè)計方法。
背景技術(shù)
布局規(guī)劃(Floorplan)是芯片物理實現(xiàn)里面一個非常重要的步驟,一個合理的布局規(guī)劃可以降低時許收斂的難度,提高繞線成功率以及增強電源穩(wěn)定性。布局規(guī)劃主要包括芯片面積,規(guī)劃并擺放IO,IP以及各類模塊等。
芯片的成本與面積息息相關(guān),因為每張硅片的尺寸是固定的,芯片的面積越小,則每張硅片上能產(chǎn)出的裸片(die)數(shù)量將增大,使得單個芯片的成本將會降低。所以芯片布局規(guī)劃時需要優(yōu)先估計面積,芯片面積太大會導(dǎo)致浪費,而太小則會導(dǎo)致難以布局布線。
決定芯片面積的因素有兩種。第一種是由Core決定,意思是芯片標(biāo)準(zhǔn)單元太多超出Core面積規(guī)劃預(yù)期,使得芯片面積需要增大。第二種是由IO決定,因為封裝的要求,IO通常是擺在芯片的四周的,過多的IO將會使芯片的長寬增大從而導(dǎo)致面積增大。為了控制成本,物理實現(xiàn)上通常需要控制這兩種因素來節(jié)約芯片面積。
現(xiàn)有的方法因為IO是擺放在芯片四周的一圈,如果IO的數(shù)量過多的話將會拉長IORing增大芯片的長和寬而使面積增大,導(dǎo)致成本上升以及芯片內(nèi)部面積浪費。為了減少IO對面積的影響,只能減少IO或者復(fù)用IO,影響芯片邏輯功能。因此目前仍然沒有好的設(shè)計方案可以解決芯片由于IO過多導(dǎo)致芯片面積撐大的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┒嗯臝O芯片及其設(shè)計方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中IO數(shù)量過多對芯片面積造成影響的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本申請?zhí)岢鲆环N多排IO芯片,包括:芯片本體;IO圈,由若干芯片IO組成,設(shè)置在芯片本體的最外側(cè),圍在芯片本體的四周,芯片通過IO圈實現(xiàn)與外部的通訊和供電;其中,IO圈至少包括第一IO圈和第二IO圈,第一IO圈連接第二IO圈,第一IO圈的長度等于芯片的周長;第二IO圈為IO圈超出芯片周長的部分。
為解決上述技術(shù)問題,本申請?zhí)岢鲆环N多排IO芯片的計方法,包括:當(dāng)IO圈長度超過芯片周長時,將IO圈設(shè)計成至少包括第一IO圈和第二IO圈,第一IO圈連接第二IO圈,第一IO圈的長度等于芯片的周長;第二IO圈為IO圈超出芯片周長的部分。
本申請?zhí)岢龆嗯臝O芯片及其設(shè)計方法,其中多排IO芯片包括:芯片本體;IO圈,由若干芯片IO組成,設(shè)置在芯片本體的最外側(cè),圍在芯片本體的四周,芯片通過IO圈實現(xiàn)與外部的通訊和供電;其中,IO圈至少包括第一IO圈和第二IO圈,第一IO圈連接第二IO圈,第一IO圈的長度等于芯片的周長;第二IO圈為IO圈超出芯片周長的部分。通過上述方式,本申請將超芯片周長的部分組成第二IO圈,來減少第一IO圈的長度,從而避免了IO過多導(dǎo)致芯片面積撐大的問題,并且無需減少芯片功能和芯片邏輯。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請的技術(shù)方案,下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施方式,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中芯片的IO排列一實施例的示意圖;
圖2是本申請多排IO芯片的IO排列一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本申請第一IO圈和第二IO圈一實施例的連接示意圖;
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