[發明專利]多排IO芯片及其設計方法

在審

• 申請號: 202110639913.8
• 申請日: 2021-06-08
• 公開（公告）號: CN113506788A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 王銳;余燊鴻;李建軍;莫軍;王亞波
• 申請（專利權）人: 廣芯微電子（廣州）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 陳旭紅;晏靜文

1.一種多排IO芯片，其特征在于，包括：

芯片本體；

IO圈，由若干芯片IO組成，設置在所述芯片本體的最外側，圍在所述芯片本體的四周，所述芯片通過所述IO圈實現與外部的通訊和供電；

其中，所述IO圈至少包括第一IO圈和第二IO圈，所述第一IO圈連接所述第二IO圈，所述第一IO圈的長度等于所述芯片的周長；所述第二IO圈為所述IO圈超出所述芯片周長的部分。

2.根據權利要求1所述的多排IO芯片，其特征在于，

所述第二IO圈相比所述第一IO圈，設置在所述芯片本體的較內側；所述第一IO圈為封閉圖形設置的多個IO，所述第二IO圈為連續設置或者間斷設置的多個IO。

3.根據權利要求1所述的多排IO芯片，其特征在于，

所述第一IO圈的多個IO形成貫通的第一網絡，所述第二IO圈的多個IO形成貫通的第二網絡，所述第一網絡與所述第二網絡通過重布線層技術實現電連接。

4.根據權利要求3所述的多排IO芯片，其特征在于，

所述第一IO圈和所述第二IO圈分別包括三個IO：VDD IO、VSSIO IO、和VDDIO IO，其中所述VDD IO用于為core供電；所述VSSIO IO/VDDIO IO用于為IO供電；

所述第一IO圈的VDD IO和所述第二IO圈的VDD IO連接，以形成VDD網絡；所述第一IO圈的VSSIO IO和所述第二IO圈的VSSIO IO連接，以形成VSSIO網絡；所述第一IO圈的VDDIO IO和所述第二IO圈的VDDIO IO連接，以形成VDDIO網絡。

5.根據權利要求4所述的多排IO芯片，其特征在于，

所述第一IO圈的VDD IO和所述第二IO圈的VDD IO通過兩個PAD OPEN實現連接；所述第一IO圈的VSSIO IO和所述第二IO圈的VSSIO IO通過一個PAD OPEN實現連接；所述第一IO圈的VDDIO IO和所述第二IO圈的VDDIO IO通過兩個PAD OPEN實現連接。

6.根據權利要求3所述的多排IO芯片，其特征在于，

所述第一IO圈的多個IO通過M5金屬形成貫通的第一網絡，所述第二IO圈的多個IO通過M5金屬形成貫通的第二網絡。

7.一種多排IO芯片的計方法，其特征在于，包括：

當IO圈長度超過芯片周長時，將所述IO圈設計成至少包括第一IO圈和第二IO圈，所述第一IO圈連接所述第二IO圈，所述第一IO圈的長度等于所述芯片的周長；所述第二IO圈為所述IO圈超出所述芯片周長的部分。

8.根據權利要求7所述的芯片IO的多排設計方法，其特征在于，

所述第二IO圈相比所述第一IO圈，設置在所述芯片本體的較內側；所述第一IO圈為封閉圖形設置的多個IO，所述第二IO圈為連續設置或者間斷設置的多個IO。

9.根據權利要求8所述的多排IO芯片的設計方法，其特征在于，

所述第一IO圈的多個IO形成貫通的第一網絡，所述第二IO圈的多個IO形成貫通的第二網絡，所述第一網絡與所述第二網絡通過重布線層技術實現電連接。

10.根據權利要求9所述的多排IO芯片的設計方法，其特征在于，

所述第一IO圈和所述第二IO圈分別包括三個IO：VDD IO、VSSIO IO、和VDDIO IO，其中所述VDD IO用于為core供電；所述VSSIO IO/VDDIO IO用于為IO供電；

所述第一IO圈的VDD IO和所述第二IO圈的VDD IO連接，以形成VDD網絡；所述第一IO圈的VSSIO IO和所述第二IO圈的VSSIO IO連接，以形成VSSIO網絡；所述第一IO圈的VDDIO IO和所述第二IO圈的VDDIO IO連接，以形成VDDIO網絡。