[發明專利]一種OLED器件結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202110636295.1
• 申請日: 2021-06-08
• 公開（公告）號: CN113380966A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 呂磊;李維維;劉勝芳;許嵩;劉曉佳;趙錚濤
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52;G02B5/00
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 馬榮

本發明提供一種應用于OLED器件結構技術領域的OLED器件結構的制備方法，本發明還涉及OLED器件結構，所述的OLED器件結構的制備方法的制備步驟為：S1.陽極成膜；S2.陽極圖形化；S3.PDL成膜；S4.PDL圖形化；S5.納米金屬團簇成膜：使用真空蒸鍍或者溶膠旋涂的方式形成簇成膜，通過控制真空度、蒸鍍時間或者溶膠的濃度以及旋涂的速率和時間控制納米金屬團簇的尺寸；納米金屬團簇的中金屬，本發明所述的OLED器件結構的制備方法及OLED器件結構，步驟簡單，減少PDL區域造成的光損耗，提高器件發光效率。

技術領域

本發明屬于OLED器件結構技術領域，更具體地說，是涉及一種OLED器件結構的制備方法，本發明還涉及OLED器件結構。

背景技術

硅基OLED微顯示以單晶硅芯片為基底，并借助于成熟的CMOS工藝使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏顯示的近眼顯示產品而受到廣泛關注。基于其技術優勢和廣闊的市場，在軍事以及消費電子領域，硅基OLED微顯示都將掀起近眼顯示的新浪潮，為用戶帶來前所未有的視覺體驗。硅基OLED均為頂發射器件，而且應用于AR產品中，要求器件有更高的亮度，為了達到產品要求：一方面使用性能更高的OLED材料，來提高其發光效率；另一方面，使用多單元疊層結構來提高發光效率和亮度。以上兩種方法均存在局限性，OLED材料研發周期長，性能提升也會有明顯的瓶頸；而疊層器件工作電壓高，功耗高。對于常規的OLED器件來說，其發光效率只有20％(外量子效率)左右。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：針對現有技術的不足，提供一種步驟簡單，利用頂發射器件中向下發射的光來激發金屬團簇使之形成表面等離子體激元，利用表面等離子激元將PDL吸收的光再次轉化為發光的特點，減少PDL區域造成的光損耗，提高器件的發光效率的OLED器件結構的制備方法。

要解決以上所述的技術問題，本發明采取的技術方案為：

本發明為一種OLED器件結構的制備方法，所述的OLED器件結構的制備方法的制備步驟為：

S1.陽極成膜；

S2.陽極圖形化；

S3.PDL成膜；

S4.PDL圖形化；

S5.納米金屬團簇成膜：使用真空蒸鍍或者溶膠旋涂的方式使得納米金屬團簇成膜，通過控制真空度、蒸鍍時間或者溶膠的濃度以及旋涂的速率和時間控制納米金屬團簇的尺寸；納米金屬團簇的金屬選取Ag或者Na。

陽極成膜時，在基板上使用PVD物理氣相沉設備沉積金屬的陽極反射層和透明導電的陽極ITO層，陽極反射層為反射高的金屬，如Ag或者Al，陽極反射層厚度為100nm-150nm，陽極ITO層厚度為20nm-40nm。

該陽極反射層厚度和陽極ITO層厚度搭配下，保證器件陽極的反射率＞90％，以及與OLED器件匹配的功函數≥4.6eV。

陽極圖形化時，使用photo工藝，將陽極ITO層刻蝕成像素級別形狀。

PDL成膜時，使用CVD工藝沉積PDL層，PDL層為SIO或者SIN，PDL層厚度為50nm-100nm。

PDL圖形化時，使用photo工藝，將PDL層刻蝕成梯形，PDL層的tap角度＜60°。

本發明還涉及一種結構簡單，利用頂發射器件中向下發射的光來激發金屬團簇使之形成表面等離子體激元，利用表面等離子激元將PDL吸收的光再次轉化為發光的特點，減少PDL區域造成光損耗，提高器件的發光效率的OLED器件結構。

所述的OLED器件結構包括基板襯底、陽極反射層、陽極ITO層、PDL層、納米金屬團簇層、OLED層。