[發(fā)明專(zhuān)利]一種OLED器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110636295.1
• 申請(qǐng)日: 2021-06-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113380966A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂磊;李維維;劉勝芳;許嵩;劉曉佳;趙錚濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/56;H01L51/52;G02B5/00
• 代理公司: 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107
• 代理人: 馬榮

1.一種OLED器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述的OLED器件結(jié)構(gòu)的制備方法的制備步驟為：

S1.陽(yáng)極成膜；

S2.陽(yáng)極圖形化；

S3.PDL成膜；

S4.PDL圖形化；

S5.納米金屬團(tuán)簇成膜：使用真空蒸鍍或者溶膠旋涂的方式使得納米金屬團(tuán)簇成膜，通過(guò)控制真空度、蒸鍍時(shí)間或者溶膠的濃度以及旋涂的速率和時(shí)間控制納米金屬團(tuán)簇的尺寸；納米金屬團(tuán)簇的金屬選取Ag或者Na。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：陽(yáng)極成膜時(shí)，在基板(1a)上使用PVD設(shè)備沉積金屬的陽(yáng)極反射層(1b)和透明導(dǎo)電的陽(yáng)極ITO層(1c)，陽(yáng)極反射層(1b)為反射高的金屬，如Ag或者Al，陽(yáng)極反射層(1b)厚度為100nm-150nm，陽(yáng)極ITO層(1c)厚度為20nm-40nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：該陽(yáng)極反射層(1b)厚度和陽(yáng)極ITO層(1c)厚度搭配下，保證器件陽(yáng)極的反射率＞90％，以及與OLED器件匹配的功函數(shù)≥4.6eV。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：陽(yáng)極圖形化時(shí)，使用photo工藝，將陽(yáng)極ITO層(1c)刻蝕成像素級(jí)別形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：PDL成膜時(shí)，使用CVD工藝沉積PDL層(1d)，PDL層(1d)為SIO或者SIN，PDL層(1d)厚度為50nm-100nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：PDL圖形化時(shí)，使用photo工藝，將PDL層(1d)刻蝕成梯形，PDL層(1d)的tap角度＜60°。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件結(jié)構(gòu)的制備方法制備的OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的OLED器件結(jié)構(gòu)包括基板襯底(1a)、陽(yáng)極反射層(1b)、陽(yáng)極ITO層(1c)、PDL層(1d)、納米金屬團(tuán)簇層(1e)、OLED層(1f)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的基板襯底(1a)一側(cè)設(shè)置陽(yáng)極反射層(1b)，陽(yáng)極反射層(1b)另一側(cè)設(shè)置陽(yáng)極ITO層(1c)，PDL層(1d)穿透陽(yáng)極反射層(1b)、陽(yáng)極ITO層(1c)貼合基板襯底(1a)設(shè)置陽(yáng)極反射層(1b)的一側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的納米金屬團(tuán)簇層(1e)包覆PDL層(1d)，納米金屬團(tuán)簇層(1e)延伸到陽(yáng)極ITO層(1c)表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的OLED層(1f)連接陽(yáng)極ITO層(1c)，OLED層(1f)同時(shí)包覆納米金屬團(tuán)簇層(1e)。