[發(fā)明專利]一種分析儀的校準(zhǔn)方法及芯片測(cè)試方法和系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110635309.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-06-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113504454A | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 段源鴻;劉石頭;劉麗娟;黃富華;蘇玉;譚游杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市時(shí)代速信科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郭浩輝;顏希文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 分析 校準(zhǔn) 方法 芯片 測(cè)試 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種分析儀的校準(zhǔn)方法及芯片測(cè)試方法和系統(tǒng)。所述校準(zhǔn)方法包括:第一分析儀測(cè)量直通芯片的第一散射參數(shù),第一散射參數(shù)為直通芯片的散射參數(shù),所述直通芯片為與待檢測(cè)芯片具有相同尺寸和引腳的芯片,且所述直通芯片的第一引腳和第二引腳通過(guò)導(dǎo)線相連接;第一分析儀測(cè)量直通芯片和頂針的第二散射參數(shù),根據(jù)第一散射參數(shù)和第二散射參數(shù)得到頂針的第三散射參數(shù),并根據(jù)所述第三散射參數(shù),調(diào)整所述第一分析儀內(nèi)的內(nèi)部參數(shù),以使所述第一分析儀完成頂針與直通芯片的第一引腳和第二引腳連接端面的校準(zhǔn)。有益效果:分析儀校準(zhǔn)到芯片引腳和頂針的連接端面上,消除了頂針對(duì)射頻測(cè)試的影響,提高了芯片測(cè)試的準(zhǔn)確性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種分析儀的校準(zhǔn)方法及芯片測(cè)試方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在射頻測(cè)試系統(tǒng)中,一般需要對(duì)測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行校準(zhǔn)和去嵌,為準(zhǔn)確測(cè)試待測(cè)DUT(待測(cè)試設(shè)備)的性能,需要將射頻儀器的信號(hào)校準(zhǔn)和去嵌到待測(cè)DUT的兩端,以保證我們準(zhǔn)確知道給到DUT的射頻信號(hào)和DUT輸出的射頻信號(hào)。現(xiàn)有技術(shù)中,通常采用的方法是TRL去嵌方法,但是該方法通常只能校準(zhǔn)到芯片引腳和PCB(電路板)的連接處。在芯片測(cè)試應(yīng)用中,需要直接將芯片焊接至PCB板上,芯片引腳與PCB完好焊接在一塊,采用TRL測(cè)試方法將射頻信號(hào)校準(zhǔn)到PCB接觸到芯片的端面即可。
但在量產(chǎn)測(cè)試或者需要使用到芯片測(cè)試座時(shí),芯片是通過(guò)芯片測(cè)試座中的頂針與PCB連接在一起,采用TRL校準(zhǔn)結(jié)果只能將射頻信號(hào)校準(zhǔn)到PCB的端面上,無(wú)法去除頂針的影響,會(huì)對(duì)芯片射頻性能的測(cè)試產(chǎn)生誤差。
因此需要對(duì)現(xiàn)有的芯片測(cè)試校準(zhǔn)方法和裝置進(jìn)行改進(jìn),消除由頂針帶來(lái)的影響,提高測(cè)試的準(zhǔn)確性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是:提供一種芯片測(cè)試校準(zhǔn)的方法及裝置,消除由頂針帶來(lái)的影響,提高測(cè)試的準(zhǔn)確性。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種分析儀的校準(zhǔn)方法,包括:
第一分析儀測(cè)量直通芯片的第一散射參數(shù),其中,所述第一散射參數(shù)為直通芯片的第一引腳和第二引腳與電路板直接連接時(shí)直通芯片本身的散射參數(shù),所述直通芯片為與待檢測(cè)芯片具有相同尺寸和引腳的芯片,且所述直通芯片的第一引腳和第二引腳通過(guò)導(dǎo)線相連接。
所述第一分析儀測(cè)量直通芯片和頂針的共同的第二散射參數(shù),其中,所述第二散射參數(shù)為直通芯片的第一引腳和第二引腳通過(guò)芯片測(cè)試座的頂針與電路板間接連接時(shí)直通芯片和頂針的散射參數(shù)。
所述第一分析儀根據(jù)第一散射參數(shù)和第二散射參數(shù)得到頂針的第三散射參數(shù),并根據(jù)所述第三散射參數(shù),調(diào)整所述第一分析儀內(nèi)的內(nèi)部參數(shù),以使所述第一分析儀完成頂針與直通芯片的第一引腳和第二引腳連接端面的校準(zhǔn)。
進(jìn)一步的,所述第一分析儀是經(jīng)過(guò)預(yù)先校準(zhǔn)的,預(yù)先校準(zhǔn)的校準(zhǔn)方法為:
將第一分析儀的第一射頻線和第二射頻線分別與校準(zhǔn)件的第三引腳和第四引腳連接,通過(guò)預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)方法進(jìn)行校準(zhǔn),得到第一參數(shù),并將第一參數(shù)更新到第一分析儀中,完成第一分析儀的校準(zhǔn)。
進(jìn)一步的,所述校準(zhǔn)件根據(jù)所述電路板結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)。
進(jìn)一步的,第一分析儀測(cè)量直通芯片的第一散射參數(shù),具體為:
將第一分析儀的第一射頻線和第二射頻線分別和電路板的第一微帶線和第二微帶線連接,將直通芯片的第一引腳和第二引腳分別和電路板的第一微帶線和第二微帶線連接。
所述第一分析儀發(fā)送多次第一射頻信號(hào),所述第一射頻信號(hào)經(jīng)過(guò)第一射頻線、第一微帶線、直通芯片、第二微帶線、第二射頻線后返回第一分析儀,所述第一分析儀發(fā)送多次第二射頻信號(hào),所述第二射頻信號(hào)經(jīng)第二射頻線、第二微帶線、直通芯片、第一微帶線、第一射頻線后返回第一分析儀,經(jīng)過(guò)數(shù)據(jù)處理后得到直通芯片的本身的第一散射參數(shù)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市時(shí)代速信科技有限公司,未經(jīng)深圳市時(shí)代速信科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110635309.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





