[發明專利]一種分析儀的校準方法及芯片測試方法和系統

在審

• 申請號: 202110635309.8
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113504454A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 段源鴻;劉石頭;劉麗娟;黃富華;蘇玉;譚游杰
• 申請（專利權）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郭浩輝;顏希文

1.一種分析儀的校準方法，其特征在于，包括：

第一分析儀測量直通芯片的第一散射參數，其中，所述第一散射參數為直通芯片的第一引腳和第二引腳與電路板直接連接時直通芯片本身的散射參數，所述直通芯片為與待檢測芯片具有相同尺寸和引腳的芯片，且所述直通芯片的第一引腳和第二引腳通過導線相連接；

所述第一分析儀測量直通芯片和頂針的第二散射參數，其中，所述第二散射參數為直通芯片的第一引腳和第二引腳通過芯片測試座的頂針與電路板間接連接時直通芯片和頂針的散射參數；

所述第一分析儀根據第一散射參數和第二散射參數得到頂針的第三散射參數，并根據所述第三散射參數，調整所述第一分析儀內的內部參數，以使所述第一分析儀完成頂針與直通芯片的第一引腳和第二引腳連接端面的校準。

2.根據權利要求1所述的一種分析儀的校準方法，其特征在于，所述第一分析儀是經過預先校準的，預先校準的校準方法為：

將第一分析儀的第一射頻線和第二射頻線分別與校準件的第三引腳和第四引腳連接，通過預設的標準校準方法進行校準，得到第一參數，并將第一參數更新到第一分析儀中，完成第一分析儀的校準。

3.根據權利要求2所述的一種分析儀的校準方法，其特征在于，所述校準件根據所述電路板結構進行設計。

4.根據權利要求1所述的一種分析儀的校準方法，其特征在于，第一分析儀測量直通芯片的第一散射參數，具體為：

將第一分析儀的第一射頻線和第二射頻線分別和電路板的第一微帶線和第二微帶線連接，將直通芯片的第一引腳和第二引腳分別和電路板的第一微帶線和第二微帶線連接；

所述第一分析儀發送多次第一射頻信號，所述第一射頻信號經過第一射頻線、第一微帶線、直通芯片、第二微帶線、第二射頻線后返回第一分析儀，所述第一分析儀發送多次第二射頻信號，所述第二射頻信號經第二射頻線、第二微帶線、直通芯片、第一微帶線、第一射頻線后返回第一分析儀，經過數據處理后得到直通芯片的本身的第一散射參數。

5.根據權利要求1所述的一種分析儀的校準方法，其特征在于，第一分析儀測量直通芯片和頂針的第二散射參數，具體為：

在電路板上安裝芯片測試座，使芯片測試座的第一頂針和第二頂針的下端面分別和第一微帶線和第二微帶線連接，并將直通芯片安裝在芯片測試座上，使直通芯片的第一引腳和第二引腳分別和芯片測試座內的第一頂針和第二頂針的上端面連接，第一分析儀的第一射頻線和第二射頻線分別和第一微帶線和第二微帶線連接；

所述第一分析儀發送多次第三射頻信號，所述第三射頻信號經過第一射頻線、第一微帶線、第一頂針、直通芯片、第二頂針、第二微帶線和第二射頻線后返回第一分析儀；第一分析儀發送多次第四射頻信號，所述第四射頻信號經過第二射頻線、第二微帶線、第二頂針、直通芯片、第一頂針、第一微帶線和第一射頻線后返回第一分析儀，經過數據處理后得到包括直通芯片散射參數和頂針的散射參數的第二散射參數。

6.根據權利要求1所述的一種分析儀的校準方法，其特征在于，根據第一散射參數和第二散射參數得到頂針的第三散射參數，具體為：

將第一散射參數轉化為第一矩陣，將第二散射參數轉化為第二矩陣，根據公式第二矩陣＝第一矩陣＊第三矩陣＊第三矩陣，得到第三矩陣，所述第三矩陣為頂針的第三散射參數對應的第三矩陣；

將所述第三矩陣轉化為第三散射參數，得到頂針的第三散射參數。

7.根據權利要求1到6任一所述的一種分析儀的校準方法，其特征在于，所述直通芯片的第一引腳和第二引腳通過多根導線相連接。

8.一種芯片的測試方法，其特征在于，應用權利要求1－7任一所述的第一分析儀進行待檢測芯片射頻性能的測試。

9.一種芯片的測試系統，其特征在于，包括第一分析儀、電路板和芯片測試座；

所述第一分析儀應用權利要求1－7任一所述的分析儀的校準方法進行校準；第一分析儀用于校準芯片的射頻性能；

所述電路板上安裝有芯片測試座，所述芯片測試座用于將待檢測芯片的第五引腳和第六引腳分別和電路板的第一微帶線和第二微帶線間接連接。