[發明專利]半導體封裝裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202110633713.1 | 申請日: | 2021-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN113506780A | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發明(設計)人: | 呂文隆 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京植德律師事務所 11780 | 代理人: | 唐華東 |
| 地址: | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體封裝裝置,包括:
第一基板,具有第一表面、與所述第一表面相對的第二表面及貫穿所述第一基板的容納腔體,所述容納腔體位于所述第二表面的底面設置有第一親水結構層,所述第一親水結構層的第一端靠近所述容納腔體的第一側面;
芯片,設置于所述容納腔體內,所述芯片非主動面設置有第二親水結構層,所述芯片通過所述第一側面的至少部分接觸所述第一基板,所述第二親水結構層貼合所述第一親水結構層,所述第一親水結構層的寬度大于所述第二親水結構層的寬度的一半且小于所述第二親水結構層的寬度。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一親水結構層包括金屬層和設置于所述金屬層上的第一親水層,所述第一親水層在所述金屬層與所述芯片之間。
3.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第二親水結構層包括設置于所述非主動面的隔離層和設置于所述隔離層上的第二親水層。
4.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一基板還包括導通孔,所述第一表面通過所述導通孔電連接所述第二表面。
5.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述裝置還包括:
第二基板,設置于所述第一表面,所述第二基板與所述第一表面及所述芯片電連接;
粘合層,設置于所述第二基板和所述第一基板之間。
6.根據權利要求5所述的裝置,其中,所述粘合層還設置于所述容納腔體內,所述粘合層包覆所述芯片。
7.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述容納腔體具有與所述第一側面相鄰的第二側面,所述第一親水結構層與第一端相鄰的第二端靠近所述第二側面,所述芯片通過所述第二側面的至少部分接觸所述第一基板。
8.一種制造半導體封裝裝置的方法,包括:
提供基板,在基板上開設容納腔體,以形成第一基板,所述第一基板具有相對的第一表面和第二表面;
提供第一載板,第一載板上設置有對應所述第一基板的線路層,所述線路層包括金屬層;
將所述第一基板設置于所述第一載板上;
形成穿過所述第一表面和所述第二表面的導通孔,以使所述第一表面通過所述導通孔電連接所述第二表面;
在所述金屬層上設置第一親水層,以形成第一親水結構層;
提供芯片,所述芯片非主動面設置有第二親水結構層,所述第一親水結構層的寬度大于所述第二親水結構層的寬度的一半并小于所述第二親水結構層的寬度;
以水潤濕所述第二親水結構層,將所述芯片非主動面朝向所述第一親水結構層放置于所述容納腔體,通過所述第一親水結構層與所述第二親水結構層之間水的表面張力拉動所述芯片,以使所述芯片通過所述第一側面的至少部分接觸所述第一基板;
加熱去除水,以使所述第二親水結構層貼合所述第一親水結構層。
9.根據權利要求8所述的方法,所述方法還包括:
提供第二載板,所述第二載板上設置有粘合層;
將所述粘合層設置于所述第一基板上,移除所述第二載板。
10.根據權利要求9所述的方法,所述方法還包括:
在所述粘合層上形成第二基板,所述第二基板與所述芯片電連接。
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