[發明專利]一種耐高溫覆銅板及其加工工藝

在審

• 申請號: 202110632567.0
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113320246A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 壯志偉;李俊芝;余慶
• 申請（專利權）人: 常州興業電子材料有限公司
• 主分類號: B32B15/20
• 分類號: B32B15/20;B32B15/08;B32B27/28;C08F299/08;H05K3/02;H05K1/03;C22F1/08;C21D9/46
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 李帥

本發明公開了一種耐高溫覆銅板及其加工工藝，包括基底、基銅，所述基銅設置于基底的表面，所述基底原料包括以下組分：乙烯基對苯二甲酸、4?丁氧基苯酚、改性聚二甲基硅氧烷。本發明通過對基底組分和制備工藝的設置，將乙烯基對苯二甲酸與4?丁氧基苯酚在二環己基碳二亞胺、4?二甲氨基吡啶作用下反應，得到具有乙烯基的酯化單體，與改性聚二甲基硅氧烷反應制得單體后進行聚合，制得液晶基底，使得所制基底較好的塑韌性，同時具有耐高溫性能。

技術領域

本發明涉及覆銅板技術領域，具體為一種耐高溫覆銅板及其加工工藝。

背景技術

隨著各行各業的快速發展，其中的微電子產品趨向小型化，大規模集成電路尺寸縮小，電路的復雜化程度和信號的傳遞速度提高。而印刷電路板是電子產品中的重要組成部件，是其技術的體現。其中包含結構覆銅板，它由樹脂基體和銅箔熱壓成型而構成基板，是制造印刷電路板的主要基礎材料。而隨著微電子工業的迅速發展，對基材覆銅板的要求越來越高，進而也對覆銅板用樹脂基體提出更高的要求，需要兼具更好的耐熱性。因此，我們提出一種耐高溫覆銅板及其加工工藝。

發明內容

本發明的目的在于提供一種耐高溫覆銅板及其加工工藝，以解決上述背景技術中提出的問題。

為了解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：一種耐高溫覆銅板，包括基底、基銅，所述基銅設置于基底的表面，所述基底原料包括以下組分：乙烯基對苯二甲酸、4-丁氧基苯酚、改性聚二甲基硅氧烷。

進一步的，所述改性聚二甲基硅氧烷原料包括以下組分：甲基三甲氧基硅烷、硼酸、端羥基聚二甲基硅氧烷。

進一步的，所述基底原料包括以下重量組分：19～24份乙烯基對苯二甲酸、16～20份4-丁氧基苯酚、20～30份改性聚二甲基硅氧烷。

進一步的，所述改性聚二甲基硅氧烷原料包括以下重量組分：13～16份甲基三甲氧基硅烷、1.5～6.2份硼酸、20～25份端羥基聚二甲基硅氧烷。

一種耐高溫覆銅板的加工工藝，包括以下步驟：

(1)處理基銅：

取銅箔進行冷軋，退火；以氫氣為氣體介質，進行等離子體處理，制得基銅；

(2)制備基底：

取乙烯基對苯二甲酸加入二氯甲烷，混合均勻，加入4-丁氧基苯酚、二環己基碳二亞胺、4-二甲氨基吡啶，充分反應，得到酯化單體；

取甲基三甲氧基硅烷，加入無水乙醇、硼酸，充分混合，攪拌，加入硝酸，繼續攪拌，取產物干燥；與端羥基聚二甲基硅氧烷共混，加入催化劑氫氧化鈉充分反應，制得改性聚二甲基硅氧烷；

取酯化單體加入甲苯、鉑催化劑，在氮氣氛圍中，加入改性聚二甲基硅氧烷，充分反應，制得單體；

取單體干燥，在氮氣氛圍中，加入引發劑偶氮二異丁腈的四氫呋喃溶液，升溫反應，加入甲醇，取沉淀物真空干燥；研磨制粉，覆蓋于基銅表面，加熱熔融，熱壓，冷卻，制得覆銅板。

進一步的，所述步驟(1)包括以下步驟：

取銅箔進行冷軋，變形量為75～85％，置于200～300℃溫度下進行退火，重復上述冷軋、退火步驟3～5次；以氫氣為氣體介質，等離子體處理10～30min，制得基銅。

在上述技術方案中，利用多次冷軋、退火工藝，細化銅箔晶粒，促進晶粒的均勻性分布，有效控制晶粒尺寸，同時提高特殊晶界的含量，提高晶界的整體穩定性，避免異常晶界的出現，低能特殊晶界的出現，促進電子的有效傳輸，提高所制覆銅板的導電性；冷軋、退火后利用等離子體對銅箔進行表面處理，提高表面附著力，其中等離子體處理以氫氣為氣體介質，能夠在不改變銅箔整體性能的同時，使其具有較好的表面處理效果。

進一步的，所述步驟(2)包括以下步驟：