[發明專利]半導體存儲裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202110632291.6
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN115117075A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 井野光能
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 萬利軍;段承恩

1.一種半導體存儲裝置，具備：

半導體層；

多個導電層，分別分開地設置于所述半導體層的上方，在第1方向上延伸；以及

第1存儲柱，

該第1存儲柱具有：

第1絕緣膜，貫穿所述多個導電層而設置，在包含所述第1方向和與所述第1方向交叉的第2方向的面內具有橢圓形狀、長圓形形狀或圓角長方形形狀；和

多個第1溝道，在所述第1絕緣膜的內部，分別貫穿所述多個導電層而設置，在所述第1絕緣膜的第1長軸的方向上相對，在所述面內分別具有中央附近的厚度最厚且厚度朝向兩端變薄的形狀。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，還具備：

多個所述第1存儲柱，所述第1絕緣膜的第1短軸的方向各自從所述第1方向順時針旋轉第1預定角度，在所述第1方向上排列設置；和

多個第2存儲柱，

各個所述第2存儲柱具有：

第2絕緣膜，貫穿所述多個導電層而設置，在所述面內具有橢圓形狀、長圓形形狀或圓角長方形形狀；和

多個第2溝道，在所述第2絕緣膜的內部，分別貫穿所述多個導電層而設置，在所述第2絕緣膜的第2長軸的方向上相對，在所述面內分別具有中央附近的厚度最厚且厚度朝向兩端變薄的形狀，

各個所述第2存儲柱從多個所述第1存儲柱向所述第2方向離開，以在從所述第2方向觀察的情況下配置于多個所述第1存儲柱各自之間的方式，在所述第1方向上排列設置，

各個所述第2存儲柱的所述第2絕緣膜的第2短軸的方向在所述面內從所述第1方向逆時針旋轉了第2預定角度。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，還具備：

多個第3存儲柱；和

第4絕緣膜，

各個所述第3存儲柱具有：

第3絕緣膜，貫穿所述多個導電層而設置，在所述面內具有橢圓形狀、長圓形形狀或圓角長方形形狀；和

多個第3溝道，在所述第3絕緣膜的內部，分別貫穿所述多個導電層而設置，在所述第3絕緣膜的第3長軸的方向上相對，在所述面內分別具有中央附近的厚度最厚且厚度朝向兩端變薄的形狀，

各個所述第3存儲柱從多個所述第2存儲柱向所述第2方向離開，以在從所述第2方向觀察的情況下配置于多個所述第2存儲柱各自之間的方式，在所述第1方向上排列設置，

各個所述第3存儲柱的所述第3絕緣膜的第3短軸的方向在所述面內從所述第1方向順時針旋轉了第3預定角度，

所述第4絕緣膜設置于所述多個第3溝道之上，在所述第1方向上延伸，將所述多個導電層中的至少配置于最上方的所述導電層截斷。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，還具備：

第5絕緣膜，設置于所述多個第1溝道之間；

第1導電部，設置于所述第1絕緣膜與所述第5絕緣膜之間，與所述多個第1溝道中的一方電連接；以及

第2導電部，所述第5絕緣膜設置于所述第1導電部與所述第2導電部之間，所述第2導電部與所述多個第1溝道中的另一方電連接。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，

所述第2方向上的所述第4絕緣膜的膜厚比所述第2方向上的所述第5絕緣膜的膜厚厚。

6.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，還具備：

第1布線，設置于所述多個第1存儲柱及所述多個第3存儲柱之上，與所述多個第1溝道中的所述一方電連接，在所述第2方向上延伸；

第2布線，設置于所述多個第1存儲柱及所述多個第3存儲柱之上，與所述多個第1溝道中的所述另一方電連接，在所述第2方向上延伸；以及

第3布線，設置于所述多個第1存儲柱及所述多個第3存儲柱之上，在從上觀察的情況下設置于所述第1布線與所述第2布線之間，在所述第2方向上延伸，與所述多個第3溝道電連接，在所述第2方向上延伸。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體存儲裝置，

所述第1存儲柱還具有設置于所述多個第1溝道之間且將所述第1絕緣膜在所述面內截斷的芯部件。