[發明專利]紅黃光發光二極管芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202110631577.2
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113594316A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 肖和平;朱志佳;王瑞瑞;朱迪
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種紅黃光發光二極管芯片及其制備方法。該紅黃光發光二極管芯片中n型層、多量子阱層、p型層和第一透明導電層依次層疊設置在襯底上，第一透明導電層的邊緣具有露出n型層的凹槽，n型電極位于n型層表面，且位于凹槽的底部；鈍化層覆蓋在第一透明導電層和凹槽的表面，鈍化層位于第一透明導電層上的區域設有開口；第二透明導電層層疊于鈍化層和第一透明導電層上，且部分位于凹槽中，第二透明導電層通過開口與第一透明導電層電連接，p型電極設置在第二透明導電層上，且p型電極位于凹槽內。本公開實施例能夠縮減p型層中載流子的流動路徑，提高紅黃光發光二極管芯片的注入效率，且改善發光二極管的發光效率。

技術領域

本公開涉及光電子制造技術領域，特別涉及一種紅黃光發光二極管芯片及其制備方法。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)作為光電子產業中極具影響力的新產品，具有體積小、使用壽命長、顏色豐富多彩、能耗低等特點，廣泛應用于照明、顯示屏、信號燈、背光源、玩具等領域。LED的核心結構是紅黃光發光二極管芯片，紅黃光發光二極管芯片的制作對LED的光電特性有著較大的影響。

紅黃光發光二極管芯片通常包括依次層疊的襯底、p型層、多量子阱層、n型層，以及分別與p型層和n型層連接的p型電極和n型電極。其中，n型電極位于n型層上方，p型電極位于襯底下方。相關技術中，通常會對于位于p型層上方的各膜層進行刻蝕，以將p型電極設置也在p型層上方，這樣就使得n型電極和p型電極位于紅黃光發光二極管芯片的同側，以方便連接。

然而，該種p型電極的設置方式，在紅黃光發光二極管芯片通電后，載流子需要從p型電極向下注入到p型層內，進入p型層后則需要再向上注入至多量子阱層，即這種p型電極的設置方式使載流子的流動路徑更長，而載流子在p型層中的遷移速度較慢，因此該種紅黃光發光二極管芯片的注入效率較低；同時，n型電極位于n型層上方，也會影響出光效果。也即相關技術中兩個電極的布置方式導致發光二極管的發光效率較低。

發明內容

本公開實施例提供了一種紅黃光發光二極管芯片及其制備方法，能夠縮減p型層中載流子的流動路徑，提高紅黃光發光二極管芯片的注入效率，且改善發光二極管的發光效率。所述技術方案如下：

一方面，本公開實施例提供了一種紅黃光發光二極管芯片，所述紅黃光發光二極管芯片包括：襯底、n型層、多量子阱層、p型層、第一透明導電層、鈍化層、第二透明導電層、p型電極和n型電極；所述n型層、所述多量子阱層、所述p型層和所述第一透明導電層依次層疊設置在所述襯底上，所述第一透明導電層的邊緣具有露出所述n型層的凹槽，所述n型電極位于所述n型層表面，且位于所述凹槽的底部；所述鈍化層覆蓋在所述第一透明導電層和所述凹槽的表面，所述鈍化層位于所述第一透明導電層上的部分設有開口；所述第二透明導電層層疊于所述鈍化層和所述第一透明導電層上，且部分位于所述凹槽中，所述第二透明導電層通過所述開口與所述第一透明導電層電連接，所述p型電極設置在所述第二透明導電層上，且所述p型電極位于所述凹槽內。

可選地，所述第一透明導電層在所述襯底上的正投影與所述p型層在所述襯底上的正投影重合。

可選地，所述第二透明導電層包括相連的連接區域和延展區域，所述連接區域位于所述第一透明導電層的上方且通過所述開口與所述第一透明導電層電連接；所述延展區域位于所述凹槽中，所述p型電極位于所述延展區域。

可選地，所述第一透明導電層和所述第二透明導電層均為氧化銦錫膜層。

可選地，所述p型電極和所述n型電極均呈條狀；所述p型電極沿平行于所述第二透明導電層的方向從所述第二透明導電層的第一側邊延伸至所述第二透明導電層的第二側邊，所述第一側邊和所述第二側邊為所述第二透明導電層上相對的兩側邊；所述n型電極沿平行于所述n型層的方向從所述n型層的第三側邊延伸至所述n型層的第四側邊，所述第三側邊和所述第四側邊為所述n型層上相對的兩側邊。