[發明專利]紅黃光發光二極管芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202110631577.2
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113594316A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 肖和平;朱志佳;王瑞瑞;朱迪
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種紅黃光發光二極管芯片，其特征在于，所述紅黃光發光二極管芯片包括：襯底、n型層(20)、多量子阱層(30)、p型層(40)、第一透明導電層(51)、鈍化層(52)、第二透明導電層(53)、p型電極(61)和n型電極(62)；

所述n型層(20)、所述多量子阱層(30)、所述p型層(40)和所述第一透明導電層(51)依次層疊設置在所述襯底上，所述第一透明導電層(51)的邊緣具有露出所述n型層(20)的凹槽(A)，所述n型電極(62)位于所述n型層(20)表面，且位于所述凹槽(A)的底部；

所述鈍化層(52)覆蓋在所述第一透明導電層(51)和所述凹槽(A)的表面，所述鈍化層(52)位于所述第一透明導電層(51)上的部分設有開口(521)；

所述第二透明導電層(53)層疊于所述鈍化層(52)和所述第一透明導電層(51)上，且部分位于所述凹槽(A)中，所述第二透明導電層(53)通過所述開口(521)與所述第一透明導電層(51)電連接，所述p型電極(61)設置在所述第二透明導電層(53)上，且所述p型電極(61)位于所述凹槽(A)內。

2.根據權利要求1所述的紅黃光發光二極管芯片，其特征在于，所述第一透明導電層(51)在所述襯底上的正投影與所述p型層(40)在所述襯底上的正投影重合。

3.根據權利要求2所述的紅黃光發光二極管芯片，其特征在于，所述第二透明導電層(53)包括相連的連接區域(531)和延展區域(532)，所述連接區域(531)位于所述第一透明導電層(51)的上方且通過所述開口(521)與所述第一透明導電層(51)電連接；

所述延展區域(532)位于所述凹槽(A)中，所述p型電極(61)位于所述延展區域(532)。

4.根據權利要求3所述的紅黃光發光二極管芯片，其特征在于，所述第一透明導電層(51)和所述第二透明導電層(53)均為氧化銦錫膜層。

5.根據權利要求1至4任一項所述的紅黃光發光二極管芯片，其特征在于，所述p型電極(61)和所述n型電極(62)均呈條狀；

所述p型電極(61)沿平行于所述第二透明導電層(53)的方向從所述第二透明導電層(53)的第一側邊延伸至所述第二透明導電層(53)的第二側邊，所述第一側邊和所述第二側邊為所述第二透明導電層(53)上相對的兩側邊；

所述n型電極(62)沿平行于所述n型層(20)的方向從所述n型層(20)的第三側邊延伸至所述n型層(20)的第四側邊，所述第三側邊和所述第四側邊為所述n型層(20)上相對的兩側邊。

6.根據權利要求1至4任一項所述的紅黃光發光二極管芯片，其特征在于，所述紅黃光發光二極管芯片還包括反射層(70)，所述反射層(70)位于所述襯底和所述n型層(20)之間。

7.根據權利要求6所述的紅黃光發光二極管芯片，其特征在于，所述反射層(70)包括依次層疊在所述襯底上的第一Au層(701)和第二Au層(702)。

8.一種紅黃光發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長n型層、多量子阱層、p型層、第一透明導電層、鈍化層和第二透明導電層，所述第一透明導電層的邊緣具有露出所述n型層的凹槽；

在所述第二透明導電層上形成p型電極，在所述n型層表面形成n型電極，所述n型電極位于所述凹槽的底部，所述鈍化層覆蓋在所述第一透明導電層和所述凹槽的表面，所述鈍化層位于所述第一透明導電層上的部分設有開口；所述第二透明導電層層疊于所述鈍化層和所述第一透明導電層上，且部分位于所述凹槽中，所述第二透明導電層通過所述開口與所述第一透明導電層電連接，所述p型電極設置在所述第二透明導電層上，且所述p型電極位于所述凹槽內。