[發明專利]一種晶圓抓取裝置及控制方法在審
| 申請號: | 202110631220.4 | 申請日: | 2021-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN113380689A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 尹明清 | 申請(專利權)人: | 深圳市星國華先進裝備科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 合肥國晟知識產權代理事務所(普通合伙) 34204 | 代理人: | 戈余麗 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華區觀*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抓取 裝置 控制 方法 | ||
本發明涉及晶圓制造技術領域,公開了一種晶圓抓取裝置及控制方法,所述晶圓抓取裝置,包括盒體和吸附端,吸附端設置于盒體一側,盒體底部設置有控制器,吸附端包括吸附機構,吸附機構包括若干個負壓凹槽,彈性聯動組件,設置在負壓凹槽內部。通過進氣轉換閥更換關閉一個進風機構連接的通風管道,使得吸附機構由一個進風機構提供動力源,使得抓取裝置可以短時間內持續工作,利用雙口進氣模式在抓取裝置正常工作時,一側進風機構出現故障后,能夠及時應急,更換成單口進氣模式,進而保證晶圓片抓取不會中斷,并且進一步保證晶圓片在傳輸時的安全性,避免正在傳輸的晶圓片因抓取裝置突然出現故障而導致晶圓片損壞。
技術領域
本發明涉及晶圓制造技術領域,具體為一種晶圓抓取裝置及控制方法。
背景技術
晶圓作為一種常用的半導體材料,在其制造過程中,實現晶圓的自動取、放和自動傳輸是一項關鍵技術;現有的生產設備中,常見的晶圓抓取裝置主要是采用真空吸盤吸附式進行晶圓抓取,容易對晶圓造成污染,且對于大尺寸晶圓、超薄晶圓具有較大的破壞。
申請號為CN201811096641.6的中國發明專利提出了一種晶圓抓取裝置及控制方法,晶圓抓取裝置包括:基板,基板的第一端連接至機械臂,基板上遠離第一端的第二端設有開口,開口的凹陷方向朝基板的第一端延伸;開口周圍設有若干個吸附機構;氣體自吹氣機構進入,通過通風道傳輸至出風口處,并從出風口吹出,在凹槽內形成氣旋,然后從凹槽的側壁邊沿流出,氣體在凹槽內形成的氣旋而產生低壓,將晶圓吸附于晶圓抓取裝置上。該發明雖然能夠利用通風道傳輸至出風口處,并從出風口吹出,在凹槽內形成氣旋而產生低壓,將晶圓吸附于晶圓抓取裝置上,并使吸附機構與晶圓之間不直接接觸;但其在正常使用時,當其中吹風機構的部件出現故障后,不能及時實施應對,進而導致抓取裝置因吸附力短缺,造成晶圓片脫落。
發明內容
(一)解決的技術問題
針對現有技術的不足,本發明提供了一種晶圓抓取裝置及控制方法,具備能夠針對抓取裝置因其進風機構出現故障固能夠及時進行應急處理,避免晶圓片在傳輸的過程中受損等優點,解決了吹風機構的部件出現故障后,抓取裝置因吸附力短缺,造成晶圓片脫落的問題。
(二)技術方案
為解決上述的技術問題,本發明提供如下技術方案:一種晶圓抓取裝置,包括盒體和吸附端,所述吸附端設置于所述盒體一側,所述盒體底部設置有控制器,所述吸附端包括吸附機構,所述吸附機構包括若干個負壓凹槽,彈性聯動組件,設置在所述負壓凹槽內部,用于檢測負壓凹槽內壓力是否充足;觸發機構,設置在所述負壓凹槽內腔底部,與所述彈性聯動組件配合使用;通風管道,所述通風管道共有兩組,所述通風管道與所述負壓凹槽底部連接,每個所述通風管道另一端設置有進風機構,所述進風機構用于所述吸附機構提供動力;進氣轉換閥,設置在通風管道靠近所述進風機構的一端,用于轉換所述通風管道與所述進風機構之間的連通方式;進氣控制閥,設置在所述進氣轉換閥的另一端,用于調節通風管道內的風速。
優選地,所述吸附機構中部設置有環形開口,所述負壓凹槽分布在所述環形開口周側,所述吸附機構還包括出風口,所述出風口位于所述負壓凹槽端部,且所述出風口延伸與所述盒體上方。
優選地,所述彈性聯動組件包括彈性連桿,所述彈性連桿底部與所述觸發機構連接,所述彈性連桿端部設置有懸浮件,所述懸浮件在彈性連桿作用下懸在所述觸發機構上方,且位于所述負壓凹槽內腔上部。
優選地,所述懸浮件包括聯動桿,所述聯動桿上方設置有聯動片,所述聯動片位于所述出風口端部,使得產生一定負壓后,聯動片帶動聯動桿與所述觸發機構接觸。
優選地,所述通風管道包括主線管道,所述主線管道延伸于所述吸附機構中部,所述主線管道端部分別設置有與所述負壓凹槽連接的支線管道,每個所述支線管道長度相等,所述主線管道另一端與所述進風機構連接,所述進風機構包括進風接頭,所述進風接頭端部延伸于所述盒體外側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





