[發明專利]微型發光二極管的巨量轉移方法、顯示裝置及其制作方法

有效

• 申請號: 202110630715.5
• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113345829B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 談江喬;劉鑒明;柯志杰;吳雙;周川
• 申請（專利權）人: 廈門乾照半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/78;H01L27/15;G09F9/33
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• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種微型發光二極管的巨量轉移方法、顯示裝置及其制作方法，通過在各所述LED芯粒背離所述生長基板的一側表面覆蓋有粘附層，并在轉移基板的表面形成感應層；在轉移過程中，通過鍵合使所述粘附層與所述感應層形成粘接，且感應層位于粘附層的上方；從而在后續通過掩膜并結合相應的感應源選擇性破壞所述感應層和粘附層，使對應的LED芯粒自然掉落至目標基板時，破壞所示感應層所產生的多余能量可被所述粘附層吸收，繼而有效保護LED芯粒不受感應源如光、熱、電磁波等的傷害。

技術領域

本發明涉及發光二極管領域，尤其涉及一種微型發光二極管的巨量轉移方法、顯示裝置及其制作方法。

背景技術

微元件技術是指在襯底上以高密度集成的微小尺寸的元件陣列。目前，微間距發光二極管(Micro LED)技術逐漸成為研究熱門，工業界期待有高品質的微元件產品進入市場。高品質微間距發光二極管產品會對市場上已有的諸如LCD/OLED的傳統顯示產品產生深刻影響。Micro-Led技術，即LED微縮化和矩陣化技術，指的是在一個芯片上集成高密度、微小尺寸的LED陣列的技術，以將像素點的距離從毫米級降低至微米級。由于Micro-Led性能上表現優越，繼承了無機LED的高亮度、高良率、高可靠性、體積小、壽命長等優勢，在顯示領域的應用越來越廣泛。

在制造微元件的過程中，首先在施體基板上形成微元件，接著將微元件轉移到接收基板上。接收基板例如是顯示屏。在微型發光二極管的制作過程中，巨量轉移是微型發光二極管實現產業化的主要瓶頸，如何解決這一技術難題，成為微型發光二極管成本降低和量產的關鍵環節。

有鑒于此，本發明人專門設計了一種微型發光二極管的巨量轉移方法、顯示裝置及其制作方法，本案由此產生。

發明內容

本發明的目的在于提供一種微型發光二極管的巨量轉移方法、顯示裝置及其制作方法，以降低微型發光二極管巨量轉移的工藝難度和成本。

為了實現上述目的，本發明采用的技術方案如下：

一種微型發光二極管的巨量轉移方法，包括如下步驟：

步驟S01、提供一LED陣列結構，所述LED陣列結構包括生長基板及在所述生長基板表面形成的若干個呈陣列排布的LED芯粒，各所述LED芯粒包括水平結構LED芯粒或垂直結構LED芯粒；

步驟S02、沉積一粘附層，所述粘附層覆蓋各所述LED芯粒背離所述生長基板的一側表面，并填充相鄰LED芯粒之間的間隙；

步驟S03、提供一轉移基板，并在所述轉移基板的表面形成感應層；

步驟S04、將步驟S03所述的轉移基板與步驟S02所形成的LED陣列結構鍵合，使所述粘附層與所述感應層形成粘接；

步驟S05、去除所述生長基板；

步驟S06、通過掩膜并結合相應的感應源選擇性破壞所述感應層和粘附層，使對應的LED芯粒自然掉落至目標基板。

優選地，所述粘附層的厚度為H，所述LED芯粒的高度為H1，則H1＜H＜2H1。

優選地，所述粘附層包括添加有感光劑和/或熱敏劑的黏性材料。

優選地，所述粘附層包括紫外感光膠、硅膠、光刻膠、熱熔膠、玻璃膠中的任意一種。

優選地，所述感應層包括熱感應材料、紫外光感應材料、激光感應材料、輻射感應材料、等離子體感應材料、微波感應材料中的任意一種。

優選地，所述目標基板為自帶粘性的材料層，包括藍膜、薄膜、UV膜、熱解粘膜、硅膠中的任意一種。

優選地，所述步驟S05還包括通過掩膜工藝將缺陷LED芯粒與所述生長基板同時去除。