[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法、顯示裝置及其制作方法

有效

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• 申請日: 2021-06-07
• 公開（公告）號: CN113345829B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 談江喬;劉鑒明;柯志杰;吳雙;周川
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/78;H01L27/15;G09F9/33
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1.一種微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S01、提供一LED陣列結(jié)構(gòu)，所述LED陣列結(jié)構(gòu)包括生長基板及在所述生長基板表面形成的若干個呈陣列排布的LED芯粒，各所述LED芯粒包括水平結(jié)構(gòu)LED芯粒或垂直結(jié)構(gòu)LED芯粒；

步驟S02、沉積一粘附層，所述粘附層覆蓋各所述LED芯粒背離所述生長基板的一側(cè)表面，并填充相鄰LED芯粒之間的間隙；

步驟S03、提供一轉(zhuǎn)移基板，并在所述轉(zhuǎn)移基板的表面形成感應(yīng)層；

步驟S04、將步驟S03所述的轉(zhuǎn)移基板與步驟S02所形成的LED陣列結(jié)構(gòu)鍵合，使所述粘附層與所述感應(yīng)層形成粘接；

步驟S05、去除所述生長基板；

步驟S06、通過掩膜并結(jié)合相應(yīng)的感應(yīng)源選擇性破壞所述感應(yīng)層和粘附層，使對應(yīng)的LED芯粒自然掉落至目標基板，且在破壞所述感應(yīng)層時所產(chǎn)生的多余能量可被所述粘附層吸收。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述粘附層的厚度為H，所述LED芯粒的高度為H1，則H1＜H＜2H1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述粘附層包括添加有感光劑和/或熱敏劑的黏性材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述粘附層包括紫外感光膠、硅膠、光刻膠、熱熔膠、玻璃膠中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述感應(yīng)層包括熱感應(yīng)材料、紫外光感應(yīng)材料、激光感應(yīng)材料、輻射感應(yīng)材料、等離子體感應(yīng)材料、微波感應(yīng)材料中的任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述目標基板為自帶粘性的材料層，包括藍膜、薄膜、UV膜、熱解粘膜、硅膠中的任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述步驟S05還包括通過掩膜工藝將缺陷LED芯粒與所述生長基板同時去除。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述生長基板包括藍寶石、碳化硅、硅、氮化鎵、氮化鋁、砷化鎵中的任意一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述LED芯粒至少包括在所述生長基板表面依次堆疊的第一型半導(dǎo)體層、有源區(qū)及第二型半導(dǎo)體層，與所述第一型半導(dǎo)體層形成歐姆接觸的第一電極，以及與所述第二型半導(dǎo)體層形成歐姆接觸的第二電極。

10.一種LED顯示裝置的制作方法，其特征在于，采用權(quán)利要求1至9任一項所述的微型發(fā)光二極管的巨量轉(zhuǎn)移方法實現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移。

11.一種LED顯示裝置，其特征在于，采用權(quán)利要求10所述的LED顯示裝置的 制作方法而制作形成。