[發(fā)明專利]一種銦錠真空除鉈的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110629227.2 | 申請日： | 2021-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN113481390A | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張文濤;肖紅軍;劉鴻飛;姚雁斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 先導(dǎo)薄膜材料有限公司 |
| 主分類號： | C22B58/00 | 分類號： | C22B58/00;C22B9/04 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 顏希文 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 真空 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種銦錠真空除鉈的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將含鉈銦錠置入模具中并裝入中頻爐內(nèi)，隨后爐內(nèi)進(jìn)行真空處理并維持真空度在0.05～0.5Pa；
(2)將中頻爐升溫至1150～1250℃并保溫后，冷卻至室溫，出爐，即得到除鉈后的銦錠。
2.如權(quán)利要求1所述銦錠真空除鉈的方法，其特征在于，所述含鉈銦錠的純度為＞99.99％。
3.如權(quán)利要求1所述銦錠真空除鉈的方法，其特征在于，所述中頻爐的加熱方式為電磁感應(yīng)加熱。
4.如權(quán)利要求1所述銦錠真空除鉈的方法，其特征在于，步驟(2)所述升溫的速率為95～105℃/h。
5.如權(quán)利要求1所述銦錠真空除鉈的方法，其特征在于，步驟(2)所述升溫后的溫度為1180～1220℃。
6.如權(quán)利要求1所述銦錠真空除鉈的方法，其特征在于，步驟(2)所述保溫的時間為8～10h。
7.如權(quán)利要求1所述銦錠真空除鉈的方法，其特征在于，所述除鉈后的銦錠的純度≥4.5N。
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