[發(fā)明專利]一種銦錠真空除鉈的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110629227.2
• 申請日: 2021-06-04
• 公開（公告）號: CN113481390A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張文濤;肖紅軍;劉鴻飛;姚雁斌
• 申請（專利權(quán)）人: 先導薄膜材料有限公司
• 主分類號: C22B58/00
• 分類號: C22B58/00;C22B9/04
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文

本發(fā)明公開了一種銦錠真空除鉈的方法，屬于冶金領(lǐng)域。本發(fā)明所述銦錠真空除鉈的方法將銦錠直接在真空中進行高溫物理除鉈，相比于傳統(tǒng)氯化銨除鉈法，無需進行化學反應(yīng)，不僅可避免產(chǎn)生污染物或煙塵等有害物質(zhì)，實現(xiàn)真正的除雜零排放；同時也無需后續(xù)進行渣料處理，減少操作步驟，除鉈效率明顯提高，且所得銦錠產(chǎn)品純度較高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及冶金領(lǐng)域，具體涉及一種銦錠真空除鉈的方法。

背景技術(shù)

銦錫氧化物(ITO)靶材或者含銦靶材的制備和使用過程中需要用到大量的高純銦(99.99％以上)金屬，而高純銦目前主要通過電解精煉法進行提純制備。然而，這種方法通常電解后的銦錠中會有鉈元素富集，導致后續(xù)電解產(chǎn)出的銦錠不合格，此時需要使用進一步除雜手段進行除雜，才能滿足銦金屬4.5N純度的要求。

現(xiàn)有技術(shù)中原銦錠除鉈的方法是在澆鑄爐內(nèi)添加氯化銨進行鉈除雜，但是該方法會產(chǎn)生大量的煙塵及較多的銦損失，后續(xù)的渣料還需要進行濕法處理，導致處理成本高，對環(huán)境污染大。

發(fā)明內(nèi)容

基于現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種銦錠真空除鉈的方法，該方法可以避免廢氣及廢物產(chǎn)生，實現(xiàn)零廢物排放，同時可保障制備的銦金屬中銦損傷量少，產(chǎn)品純度高。

為了達到上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：

一種銦錠真空除鉈的方法，包括以下步驟：

(1)將含鉈銦錠置入模具中并裝入中頻爐內(nèi)，隨后爐內(nèi)進行真空處理并維持真空度在0.05～0.5Pa；

(2)將中頻爐升溫至1150～1250℃并保溫后，冷卻至室溫，出爐，即得到除鉈后的銦錠。

本發(fā)明所述銦錠真空除鉈的方法相比于傳統(tǒng)氯化銨除鉈法，無需進行化學反應(yīng)，不僅可避免產(chǎn)生污染物或煙塵等有害物質(zhì)，實現(xiàn)真正的除雜零排放；同時也無需后續(xù)進行渣料處理，減少操作步驟，除鉈效率明顯提高，且所得銦錠產(chǎn)品純度較高。

優(yōu)選地，所述含鉈銦錠的純度＞99.99％。

優(yōu)選地，所述中頻爐的加熱方式為電磁感應(yīng)加熱。

相比于傳統(tǒng)電阻式加熱方法，優(yōu)選使用電磁感應(yīng)加熱對銦錠進行加熱，不僅受熱更加均勻，同時加熱效率更高，耗能更低，更適用于工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)中。

優(yōu)選地，步驟(2)所述升溫的速率為95～105℃/h。

優(yōu)選地，步驟(2)所述升溫后的溫度為1180～1220℃。

優(yōu)選地，步驟(2)所述保溫的時間為8～10h。

通過合適的升溫及保溫參數(shù)設(shè)置，可使銦錠中的鉈在真空條件下迅速分離。

優(yōu)選地，所述除鉈后的銦錠的純度≥4.5N。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供了一種銦錠真空除鉈的方法，該方法將銦錠直接在真空中進行高溫物理除鉈，相比于傳統(tǒng)氯化銨除鉈法，無需進行化學反應(yīng)，不僅可避免產(chǎn)生污染物或煙塵等有害物質(zhì)，實現(xiàn)真正的除雜零排放；同時也無需后續(xù)進行渣料處理，減少操作步驟，除鉈效率明顯提高，且所得銦錠產(chǎn)品純度較高。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所述銦錠真空除鉈方法的示意流程圖。

具體實施方式

為了更好地說明本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點，下面將結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，其目的在于詳細地理解本發(fā)明的內(nèi)容，而不是對本發(fā)明的限制。

實施例1

本發(fā)明所述一種銦錠真空除鉈的方法，如圖1所示，包括以下步驟：