[發明專利]一種P型背接觸式晶硅太陽能電池、制備方法及電池組件

在審

• 申請號: 202110627504.6
• 申請日: 2021-06-04
• 公開（公告）號: CN113345970A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 邵家俊;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333
• 代理人: 賈振勇

本發明適用太陽能電池加工技術領域，提供了一種P型背接觸式晶硅太陽能電池、制備方法及電池組件，該P型背接觸式晶硅太陽能電池包括P型硅片，P型硅片的正面設置有鈍化減反射層；硅片基底的背面設置有P+摻雜區、N+摻雜區、背面鈍化層、正電極及負電極，P+摻雜區與N+摻雜區交替間隔分布；N+摻雜區包括設于P型硅片背面的隧穿氧化層、及設于隧穿氧化層之上的N+摻雜多晶硅；P型硅片背面對應負電極的位置設有絨面結構，負電極對應絨面結構的位置設有與N+摻雜多晶硅形成歐姆接觸的粗糙紋理結構。本發明提供的P型背接觸式晶硅太陽能電池可以有效改善負電極與N+摻雜多晶硅的歐姆接觸，提升電池效率，且實現方式簡單，實現成本低。

技術領域

本發明涉及太陽能電池加工技術領域，具體涉及一種P型背接觸式晶硅太陽能電池、制備方法及電池組件。

背景技術

目前，隨著化石能源的逐漸耗盡，太陽能電池作為新的能源替代方案，使用越來越廣泛。太陽能電池是將太陽的光能轉換為電能的裝置。太陽能電池利用光生伏特原理產生載流子，然后使用電極將載流子引出，從而利于將電能有效利用。其中，P型背接觸式的晶硅太陽能電池通常包括P型硅片，P型硅片的正面設置有鈍化減反射層，P型硅片的背面設置有隧穿氧化層、設置于隧穿氧化層之上的N+摻雜多晶硅、設置于P型硅片的背面并與N+摻雜多晶硅交替分布的P+摻雜區及覆蓋N+摻雜多晶硅的背面鈍化層，且N+摻雜多晶硅設置有負電極，P+摻雜區設置有正電極。

現有技術中，由于P型背接觸式晶硅太陽能電池在隧穿氧化層制備之前都需要進行拋光處理，P型硅片的背面對應負電極的位置通過拋光面與隧穿氧化層接觸，這樣在隧穿氧化層之上制備的N+摻雜多晶硅及在N+摻雜多晶硅上制備的背面鈍化層后均為平面結構，印刷燒結得到的負電極后與N+摻雜多晶硅通過平面接觸實現歐姆接觸，負電極與N+摻雜多晶硅之間歐姆接觸效果差，從而影響電池效率。

發明內容

本發明提供一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，旨在解決現有技術中的P 型背接觸式晶硅太陽能電池的負電極與N+摻雜多晶硅之間歐姆接觸效果差，從而影響電池效率的問題。

本發明是這樣實現的，提供一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，包括P型硅片，所述P型硅片的正面設置有鈍化減反射層；

所述P型硅片的背面設置有P+摻雜區、N+摻雜區、背面鈍化層、正電極及負電極，所述P+摻雜區與N+摻雜區交替間隔分布，所述背面鈍化層覆蓋所述P+摻雜區及所述N+摻雜區；

所述N+摻雜區包括設于所述P型硅片背面的隧穿氧化層、及設于所述隧穿氧化層之上的N+摻雜多晶硅，所述正電極與所述P+摻雜區形成歐姆接觸，所述負電極與所述N+摻雜多晶硅形成歐姆接觸；所述P型硅片背面對應所述負電極的位置設有絨面結構，所述負電極對應所述絨面結構的位置設有與所述 N+摻雜多晶硅形成歐姆接觸的粗糙紋理結構。

優選的，所述絨面結構的寬度為80-200um。

優選的，所述N+摻雜多晶硅的方阻為50-200Ω/sqr。

優選的，所述P型硅片背面設置有與所述P+摻雜區的數量相對應的凹槽，每個所述P+摻雜區對應設置于一所述凹槽的底部。

優選的，所述凹槽的底部設置有絨面，所述正電極設置于所述絨面上，且所述背面鈍化層覆蓋所述絨面。

優選的，所述凹槽的寬度為300-600um，所述凹槽的深度為0.3-10um，相鄰兩個所述凹槽之間的距離為20-500um。

優選的，所述隧穿氧化層的厚度為1-5nm。

優選的，所述鈍化減反射層和所述背面鈍化層分別為氧化鋁膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜的一種或多種組合。

本發明還提供一種P型背接觸式晶硅太陽能電池的制備方法，包括以下步驟：

拋光：選用P型硅片，并將P型硅片進行拋光處理；