[發明專利]一種P型背接觸式晶硅太陽能電池、制備方法及電池組件

在審

• 申請號: 202110627504.6
• 申請日: 2021-06-04
• 公開（公告）號: CN113345970A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 邵家俊;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333
• 代理人: 賈振勇

1.一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，其特征在于，包括P型硅片，所述P型硅片的正面設置有鈍化減反射層；

所述P型硅片的背面設置有P+摻雜區、N+摻雜區、背面鈍化層、正電極及負電極，所述P+摻雜區與N+摻雜區交替間隔分布，所述背面鈍化層覆蓋所述P+摻雜區及所述N+摻雜區；

所述N+摻雜區包括設于所述P型硅片背面的隧穿氧化層、及設于所述隧穿氧化層之上的N+摻雜多晶硅，所述正電極與所述P+摻雜區形成歐姆接觸，所述負電極與所述N+摻雜多晶硅形成歐姆接觸；所述P型硅片背面對應所述負電極的位置設有絨面結構，所述負電極對應所述絨面結構的位置設有與所述N+摻雜多晶硅形成歐姆接觸的粗糙紋理結構。

2.根據權利要求1所述的一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，其特征在于，所述絨面結構的寬度為80-200um。

3.根據權利要求1所述的一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，其特征在于，所述N+摻雜多晶硅的方阻為50-200Ω/sqr。

4.根據權利要求1所述的一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，其特征在于，所述P型硅片背面設置有與所述P+摻雜區的數量相對應的凹槽，每個所述P+摻雜區對應設置于一所述凹槽的底部。

5.根據權利要求4所述的一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，其特征在于，所述凹槽的底部設置有絨面，所述正電極設置于所述絨面上，且所述背面鈍化層覆蓋所述絨面。

6.根據權利要求4或5所述的一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，其特征在于，所述凹槽的寬度為300-600um，所述凹槽的深度為0.3-10um，相鄰兩個所述凹槽之間的距離為20-500um。

7.根據權利要求1所述的一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，其特征在于，所述隧穿氧化層的厚度為1-5nm。

8.根據權利要求1所述的一種P型背接觸式晶硅太陽能電池，其特征在于，所述鈍化減反射層和所述背面鈍化層分別為氧化鋁膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜的一種或多種組合。

9.一種P型背接觸式晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

拋光：選用P型硅片，并將P型硅片進行拋光處理；

第一次制絨：在所述P型硅片的背面對應制備負電極的位置進行制絨形成絨面結構；

制備隧穿氧化層：在所述P型硅片的背面制備隧穿氧化層；

制備N+摻雜多晶硅：在所述P型硅片的背面制備N+摻雜多晶硅；

第二次制絨：在所述P型硅片的正面進行制絨形成絨面；

制備鈍化減反射層和背面鈍化層：在所述P型硅片的正面制備鈍化減反射層，在所述P型硅片的背面制備背面鈍化層；

激光開槽：在所述P型硅片的背面對應制備正電極的位置進行激光開槽，以露出P型硅片；

正、負電極印刷燒結：在所述P型硅片背面的第一次制絨位置使用銀漿料印刷負電極，在所述P型硅片背面的激光開槽位置使用鋁漿料印刷正電極，并燒結烘干，以使所述正電極與所述P型硅片之間形成P+摻雜區，所述負電極形成與所述N+摻雜多晶硅形成歐姆接觸的粗糙紋理結構。

10.根據權利要求9所述的一種P型背接觸式晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述將P型硅片進行拋光處理具體包括：

使用濃度為1.5-15％的堿溶液對所述P型硅片進行拋光，拋光后的所述P型硅片的反射率控制在38％-45％。

11.根據權利要求9所述的一種P型背接觸式晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第一次制絨的步驟包括：

在所述P型硅片背面制備掩膜；

在所述P型硅片背面對應制備負電極的位置進行激光消融刻蝕掩膜，以露出所述P型硅片；

在所述P型硅片背面的激光消融區域制絨形成絨面結構，并通過酸洗去除非激光消融區域的掩膜。